硅基集成电路

作品数：4被引量：9H指数：2
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：朱宝张卫丁士进刘文军马钰更多>>
相关机构：中国科学院北京大学复旦大学南京大学更多>>
相关期刊：《北京交通大学学报》《物理》《合肥工业大学学报（自然科学版）》《材料导报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程河北省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
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硅基集成电路中Cu互连阻挡层的研究被引量：5
《材料导报》2010年第11期58-63,72,共7页陈剑辉 刘保亭 赵冬月 杨林 李曼 刘卓佳 赵庆勋 
国家自然科学基金(60876055);河北省自然科学基金项目(E2008000620;E2009000207);教育部科学技术研究重点项目(207013);河北省应用基础研究计划重点基础研究项目(08965124D)
随着集成电路向超大规模的发展,Cu互连技术已成为硅工艺领域的热点话题,其关键技术之一——扩散阻挡层的研究越来越受到人们的关注。结合课题组阻挡层的研究工作,介绍了当前Cu互连技术中难熔金属及其氮(碳、硅、氧)化物、多层膜、三元...
关键词：CU互连 扩散阻挡层 失效机制 
硅基集成电路螺旋电感优化设计方法
《北京交通大学学报》2007年第5期58-62,共5页李争 李哲英 
针对于硅基集成电路中螺旋电感的建模、分析和设计提出了一种新的优化设计方法.在分析了已有的对称型电感和锥型电感结构之后,针对电感在高频时的物理特性和电感的具体结构,结合两种结构的优点,提出了更加合理的锥型对称电感,使得螺旋...
关键词：螺旋电感 对称型 锥型 品质因数 几何结构 
硅基集成电路的发展及其面临的挑战被引量：1
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2004年第11期1485-1488,共4页方志鸣 
安徽省教育厅自然科学基金资助项目(2000jl235)
文章跟踪微电子技术的发展对深亚微米各技术时代ULSI的发展历程中所遇到的一些材料、技术物理问题及研究成果进行综述评论,。这些问题包括Cu/低ε介质互连系统、CMOS器件运作的内在结构及电接触问题、高ε栅极氧化物材料、SOI、SiGe、Si...
关键词：Cu/低ε互连系统 高ε栅极材料 绝缘层上的硅(SOI) 
硅基集成电路的发展和新一代栅极氧化物材料的研究现状被引量：3
《物理》2003年第4期228-234,共7页相文峰 颜雷 谈国太 郭海中 刘丽峰 吕惠宾 周岳亮 陈正豪 
中国科学院创新工程北京物质科学基地择优项目
随着科学技术的进步和集成电路市场日益扩大的需求 ,硅基集成电路的集成度越来越高 ,而集成度的提高是以其核心器件金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)的特征尺寸逐渐减小为基础的 .当栅极SiO2 介电层的厚度减小到原子尺度大小时 ,...
关键词：硅基集成电路 发展 栅极氧化物材料 金属氧化物半导体场效应晶体管 栅极介电层 高介电常数 
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