退火对NiCo薄膜各向异性磁电阻(AMR)的影响  

Influence in anisotropic magnetoresistance of thin NiCo films by post-annealing

作　　者：季红[1] 季勇[1] 周萍[1] 郑鹉[1] 王艾玲[1] 姜宏伟[1] 

机构地区：[1]首都师范大学,物理系,北京,100037 首都师范大学,物理系,北京,100037 首都师范大学,物理系,北京,100037 首都师范大学,物理系,北京,100037 首都师范大学,物理系,北京,100037 首都师范大学,物理系,北京,100037

出　　处：《功能材料》2004年第z1期813-815,819,共4页Journal of Functional Materials

摘　　要：用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种NiCo薄膜样品,在200、300、400℃温度下对两种样品退火.结果表明,不同的退火温度导致样品AMR值不同,在退火200℃时样品AMR值最大,超过200℃退火磁电阻急剧下降.XRD和摇摆曲线的结果都表明,退火后晶粒的平均晶粒尺寸都会长大,晶内缺陷减少.振动样品磁强计(VSM)测量的结果显示,退火后样品的磁矩有所减小,矫顽力增大,表明缓冲层与NiCo磁薄膜之间有扩散现象.

关 键 词：各向异性磁电阻(AMR) 织构 晶粒尺寸 NiCo薄膜 

分 类 号：TM271[一般工业技术—材料科学与工程]