(Ni0.81Fe0.19)66Cr34缓冲层对Ni74Co26薄膜各向异性磁电阻的影响  

Influence of (Ni0.81Fe0.19)66Cr34 buffer layer on the anisotropic magnetoresistance of Ni74Co26 film

作　　者：周丽萍[1] 季勇[1] 季红[1] 王艾玲[1] 郑鹉[1] 姜宏伟[1] 

机构地区：[1]首都师范大学,物理系,北京,100037 首都师范大学,物理系,北京,100037 首都师范大学,物理系,北京,100037 首都师范大学,物理系,北京,100037 首都师范大学,物理系,北京,100037 首都师范大学,物理系,北京,100037

出　　处：《功能材料》2004年第z1期820-822,825,共4页Journal of Functional Materials

摘　　要：用磁控溅射方法制备了以Ta和非磁性(Ni0.81Fe0.19)66Cr34为缓冲层的Ni74Co26薄膜,研究了它们的各向异性磁电阻效应.结果表明:用厚度为4.5nm的非磁性(Ni0.81Fe0.19)66Cr34做缓冲层的Ni74Co26薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)值比用10nm的Ta做缓冲层的同样厚度的Ni74Co26薄膜的AMR有较大的提高.比如,当Ni74Co26薄膜的厚度为12.5nm时,AMR值能提高43%.X射线衍射(XRD)研究表明:缓冲层(Ni0.81Fe0.19)66Cr34与磁性层Ni74Co26有非常接近的晶格常数,因此产生了较大的AMR值.

关 键 词：缓冲层 NiCo薄膜 各向异性磁电阻 

分 类 号：TM271[一般工业技术—材料科学与工程]