3英寸YBCO/CeO2/Al2O3双面超导外延薄膜的制备研究  

Preparation of φ3" large-area double-sided YBCO thin film on CeO2 buffered r-plane sapphire

作　　者：熊杰[1] 陶伯万[1] 谢廷明[1] 陈家俊[1] 刘兴钊[1] 张鹰[1] 李言荣[1] 

机构地区：[1]电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

出　　处：《功能材料》2004年第z1期907-910,916,共5页Journal of Functional Materials

摘　　要：采用自制的大面积四靶溅射设备,并结合基片的调速双轴旋转,成功研制出3英寸双面CeO2薄膜及YBa2Cu3O7-δ(YBCO)薄膜.通过对所制备薄膜的微观结构、表面形貌以及电性能的分析测试,得到的CeO2薄膜与YBCO薄膜具有良好的c轴外延取向,CeO2薄膜的(002)峰与YBCO薄膜的(005)峰FWHM均小于1°.薄膜厚度均匀性良好,厚度起伏在±5%以内.YBCO薄膜Tc分布在88.5～90K,△TC＜1K,Jc＞1×106A/cm2,Rs(10GHz,77K)两面分别为0.53mΩ和0.56mΩ,能较好地满足微波器件研制中的需要.

关 键 词：YBCO薄膜 CeO2缓冲层 调速双轴旋转 微波器件 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] TM26+2[理学—物理]