OVC薄膜材料及其对CIGS薄膜太阳电池异质结的改进  

OVC thin films and its improvement on the heterojunction of the CIGS thin film solar cells

作　　者：薛玉明[1] 孙云[1] 朴英美[1] 李长健[1] 

机构地区：[1]南开大学,光电子所,天津,300071 南开大学,光电子所,天津,300071 南开大学,光电子所,天津,300071 南开大学,光电子所,天津,300071

出　　处：《功能材料》2004年第z1期1009-1011,共3页Journal of Functional Materials

摘　　要：通过实验制备得到OVC薄膜材料,并对其进行掺Cd处理,以提高其载流子浓度.然后根据CuIn0.7Ga0.3Se2、OVC、CdS、ZnO这4种半导体的相关材料参数和实验数据,画出了它们形成异质结前后的能带图,并计算得到它们的能带边失调值△Ec、△Ev.由此得出,在CIGS薄膜太阳电池中形成OVC后,大大改善了其异质结的结特性,从而也可以改善电池的性能.

关 键 词：异质结 能带边失调值 CIGS OVC 

分 类 号：TM914.4+2[电气工程—电力电子与电力传动]