朴英美

作品数：4被引量：15H指数：2
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供职机构：南开大学更多>>
发文主题：CIGS薄膜太阳电池异质结CIGSZNO溅射更多>>
发文领域：电气工程一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
发文期刊：《人工晶体学报》《功能材料》《真空》《太阳能学报》更多>>
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孪生对靶溅射ZnO∶Al薄膜的研究
《真空》2005年第4期12-14,共3页薛玉明 刘维一 朴英美 李凤岩 何青 周志强 孙云 
采用对向孪生靶溅射ZnO∶Al(ZAO)薄膜可减少等离子体对基底薄膜轰击损伤,沉积速率与结晶程度高;不同气压溅射的ZAO薄膜,其透光率在波长小于700 nm时基本相同,在可见光范围内(400～700 nm),都大于80%.其中,在550 nm时的透过率大于90%;入...
关键词：ZNO 孪生对靶 透过率 
效率为12.1%的Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳电池被引量：10
《太阳能学报》2004年第6期782-784,共3页何青 孙云 李凤岩 敖建平 刘芳芳 李伟 刘维一 孙国忠 周志强 薛玉明 朴英美 汲明亮 郑贵波 李长健 
国家863计划资助项目(2001AA513020)
利用共蒸发的三步法制备了较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,并采用Mo/CIGS/CdS/ZnO 结构为基础做出转换效率超过10%的薄膜太阳电池,其最高转换效率达到12.1%(测试条件为:AM1.5,Global 1000W/m2)。通过与国际最高水平的CIGS...
关键词：CIGS薄膜 太阳电池 转换效率 
CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析被引量：5
《人工晶体学报》2004年第5期841-844,共4页薛玉明 孙云 李凤岩 朴英美 刘维一 周志强 李长健 
本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGs)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值△EC、△EV。其中,CdS／CIGS的导带边失调值ΔEc对...
关键词：铜铟硒薄膜太阳电池 异质结 结构 制备 半导体材料 能带边失调值 
OVC薄膜材料及其对CIGS薄膜太阳电池异质结的改进
《功能材料》2004年第z1期1009-1011,共3页薛玉明 孙云 朴英美 李长健 
通过实验制备得到OVC薄膜材料,并对其进行掺Cd处理,以提高其载流子浓度.然后根据CuIn0.7Ga0.3Se2、OVC、CdS、ZnO这4种半导体的相关材料参数和实验数据,画出了它们形成异质结前后的能带图,并计算得到它们的能带边失调值△Ec、△Ev.由此...
关键词：异质结 能带边失调值 CIGS OVC 
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