低电压并五苯晶体管的制北  

The preparation of low voltage pentacene thin film transistors

作　　者：王东盛[1] 吴萃婷[1] 刘爱民[1] 

机构地区：[1]大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学,物理系,辽宁,大连,116024 大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学,物理系,辽宁,大连,116024 大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学,物理系,辽宁,大连,116024

出　　处：《功能材料》2004年第z1期1361-1363,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60306001)及校学科建设基金资助下完成的.

摘　　要：介绍了利用物理气相沉积的技术制备有机物并五苯场效应晶体管(OTFT)的方法.通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)对并五苯薄膜的分析,发现并五苯薄膜具有良好的表面形貌和晶体特性.其载流子迁移率达0.3cm2/Vs,并五苯晶体管具有低电压特性.

关 键 词：有机场效应晶体管 并五苯 物理气相沉积 

分 类 号：TN304.8[电子电信—物理电子学]