Bi4Ti3O12铁电薄膜I-V特性的研究  

Study on the I-V characteristics of the Bi4Ti3O12 ferroelectric thin films

作　　者：王华[1] 李岩[1] 

机构地区：[1]桂林电子工业学院,信息材料科学与工程系,广西,桂林,541004 桂林电子工业学院,通信与信息工程系,广西,桂林,541004

出　　处：《功能材料》2004年第z1期1418-1421,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：广西科学资助基金(0236062)

摘　　要：采用溶胶-凝胶工艺(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上成功制备了低漏电流Bi4Ti3O12(BIT)铁电薄膜,对所得样品的漏导行为进行了研究.研究表明,Bi4Ti3O12薄膜的漏电流密度在+3V偏压下低于10-9A/cm2,满足器件应用的要求.在不同场强下薄膜的漏导机制不同,而且正向和负向电场作用下I-V曲线明显不同,正向漏电流明显小于负向漏电流.电压低于2V时,薄膜以欧姆导电机制为主,电压在2～5.4V(加正向电压)或2.2～3.6V(加负向电压)时,BIT薄膜应以Schottky emission导电机制为主;而对于较高的场强下,BIT薄膜以Space-charge limited currents(SCLC)导电机制为主.

关 键 词：铁电薄膜 BI4TI3O12 漏导机制 I-V特性 

分 类 号：TM22+1[一般工业技术—材料科学与工程] O484.4+2[电气工程—电工理论与新技术]