用改进的Sol-Gel方法制备PZT铁电薄膜的化学反应历程  

The chemism of the preparation of PZT ferroelectric thin films using a modified sol-gel technique

作　　者：陈实[1] 姜胜林[1] 曾亦可[1] 邓传益[1] 刘梅冬[1] 

机构地区：[1]华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074

出　　处：《功能材料》2004年第z1期1484-1489,1493,共7页Journal of Functional Materials

基　　金："863"计划新材料领域资助项目(2002AA325080)国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90201028)

摘　　要：通过傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、1H和13C核磁共振波谱(NMR)对制备PZT铁电薄膜的Sol-Gel化学反应过程进行了分析.结果表明,采用硝酸氧锆(ZrO(NO3)2·2H2O)为锆源并使用单一溶剂制备PZT铁电薄膜,溶胶-凝胶化过程中化学反应相对简单,多组分系统稳定性较高,工艺条件易于控制,所制备的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀.

关 键 词：硝酸氧锆 PZT铁电薄膜 sol-gel方法 化学反应过程 

分 类 号：TM223[一般工业技术—材料科学与工程]