Si基底上TiN膜不同参数(分压,膜厚,束流强度)下的PAT缺陷分析  

Analyzing of defectiveness for the TiN thin film of different parameters on Si substrate by using PAT (positron annihilation technique) technique

作　　者：冯宏剑[1,2] 赵杰[1] 

机构地区：[1]天津师范大学物电学院凝聚态物理中心,天津,300074 [2]渭南师范学院量子光学与光子学研究室/物理学系,陕西,渭南,714000天津师范大学物电学院凝聚态物理中心,天津,300074

出　　处：《功能材料》2004年第z1期2138-2140,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：天津自然科学基金资助项目(023613611);陕西省教委科研基金(02JK191)

摘　　要：用IBAD(ion beam assisted deposition)方法镀TiN膜不但有很好的膜基结合力,而且纳米硬度、耐腐、耐磨性能可通过高低能结合的方法来提高.本文作者用PAT(positron annihilation technique)技术分析了在同一高低能条件下不同参数对Si基底的缺陷的影响,解释并论证了改进实验的方法.

关 键 词：IBAD PAT 缺陷 

分 类 号：TB3[一般工业技术—材料科学与工程]