氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响  

Influence of H2 and O2 plasma treatment on field emission characteristics for BN films

作　　者：顾广瑞[1] 金逢锡[1] 李全军[1] 盖同祥[1] 李英爱[1] 赵永年[1] 

机构地区：[1]延边大学,理工学院物理系,吉林,延吉,133002 延边大学,理工学院物理系,吉林,延吉,133002 延边大学,理工学院物理系,吉林,延吉,133002 延边大学,理工学院物理系,吉林,延吉,133002 吉林大学超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130012 吉林大学超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130012

出　　处：《功能材料》2004年第z1期2246-2248,共3页Journal of Functional Materials

摘　　要：利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜,红外光谱测试表明,所有样品为六角氮化硼(h-BN)结构.经过氢、氧等离子体处理之后,在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性.实验结果表明,经过氢等离子体处理后BN薄膜的场发射开启电场明显降低,发射电流明显升高;而氧等离子体处理前后对h-BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低.不同样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均为直线,表明电子发射是通过隧穿BN表面势垒发射到真空.

关 键 词：氮化硼薄膜 场发射 氢等离子体 氧等离子体 

分 类 号：TN873.95[电子电信—信息与通信工程]