退火温度对P离子注入TiO2薄膜材料物理与生物学性能的影响  

Influence of anneal temperature on the properties of P-implanted TiO2 biomedical thin film

作　　者：周红芳[1] 杨苹[1] 冷永祥[1] 赵安莎[1] 徐禄祥[1] 孙鸿[1] 黄楠[1] 

机构地区：[1]西南交通大学,材料先进技术教育部重点实验室,四川省人工器官表面工程重点实验室,四川成都610031

出　　处：《功能材料》2004年第z1期2449-2450,共2页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金(NSFC)项目(30370407 30300087)国家重点基础研究规划项目(G1999064706)

摘　　要：利用离子注入技术在TiO2薄膜中注入P元素,然后分别在不同温度进行退火处理,得到一系列钛氧化物掺杂材料.随着退火温度的上升,P注入的TiO2薄膜材料电阻降低,与水的接触角在70度左右波动.通过LDH及血小板粘附实验,发现高温退火样品的血液相容性得到改善.

关 键 词：离子注入 退火温度 血液相容性 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]