激光辐照制备高介电常数Ta2O5陶瓷  

Laser-sintered Ta2O5 of high dielectric permittivity

作　　者：季凌飞[1] 王伟[1] 于振龙[1] 蒋毅坚[1] 

机构地区：[1]北京工业大学,国家产学研激光技术中心,北京,100022 北京工业大学,国家产学研激光技术中心,北京,100022 北京工业大学,国家产学研激光技术中心,北京,100022 北京工业大学,国家产学研激光技术中心,北京,100022

出　　处：《功能材料》2004年第z1期3102-3103,共2页Journal of Functional Materials

基　　金：北京市自然科学基金和北京市科技发展基金资助项目

摘　　要：采用大功率CO2激光辐照制备高介电常数Ta2O5陶瓷,讨论了激光制备工艺参数如激光光束模式、功率密度、扫描速率、辐照时间、辐照方式等对制备材料介电性能和组织形貌的影响,分析了其作用机理.

关 键 词：Ta2O5陶瓷 激光辐照 高介电常数 

分 类 号：TN249[电子电信—物理电子学]