退火对sol-gel法生长的SiO2薄膜特性的影响  

The influence of anneal on the properties of SiO2 thin films prepared by sol-gel method

作　　者：郭嘉[1,2] 龚明[1] 许小亮 张慰萍[1] 郭海[1] 王燎原[1] 陈滢滢[1] 刘佩尧[1] 刘洪图[1] 

机构地区：[1]中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026 [2]中国科学技术大学,化学物理系,安徽,合肥,230026中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026

出　　处：《功能材料》2004年第z1期3171-3174,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：安徽省人才开发基金(2003Z021)以及中国科学技术大学物理人才基地基金的资助(KY5002)

摘　　要：用正硅酸乙酯(ETOS),乙醇(EtOH),水以及盐酸以一定的比例混合配制溶胶(其中盐酸为催化剂).以普通浮法玻璃为衬底,用浸渍提拉法制备了厚度为100nm左右的SiO2薄膜.对其进行等温和等时退火,用台阶仪测定其厚度变化,给出经验拟合公式.研究了退火对透过率、折射率以及气孔率的影响,并做出比较详细的理论解释.

关 键 词：退火 SOL-GEL SIO2薄膜 膜厚 折射率 

分 类 号：TM215[一般工业技术—材料科学与工程] O484.4[电气工程—电工理论与新技术]