用极差法与回归法探讨蒙脱石有机化层间距的影响因素  

作　　者：徐芳 沈上越 谢静 范胜华[1] 

机构地区：[1]中国地质大学材化学院,北京,10008 中国地质大学材化学院,北京,10008 中国地质大学材化学院,北京,10008 中国地质大学工程学院,武汉,430074

出　　处：《中国非金属矿工业导刊》2004年第z1期100-102,共3页China Non-Metallic Minerals industry

基　　金：国土资源部项目(编号:121280201102)

摘　　要：本文选择了四个主要影响蒙脱石有机化层间距的因素(插层剂含量、温度、搅拌时间、pH值)设计了18个试验,用极差法和回归法分析了实验结果,结果表明制备最大层间距的最佳工艺条件为:插层剂含量70%;温度为95℃;搅拌时间为2h;pH值为5,而且在插层剂含量＜70%时,制备的蒙脱石层间距与插层剂含量存在线性关系.即:蒙脱石层间距=1.771+2.828×插层剂含量,其他因素影响程度很小.这一结论对不经过X-ray测试而直接估算制备的蒙脱石层间距起到了指导性的作用.

关 键 词：有机蒙脱石 层间距 正交法 回归法 

分 类 号：O212.1[理学—概率论与数理统计] P619.255[理学—数学]