关于多带隙半导体材料及太阳电池的分析  

ANALYSIS OF MULTIBAND SEMICONDUCTOR MATERIALS AND SOLAR CELLS

作　　者：冯良桓 张静全 蔡亚平 李卫 武莉莉 黎兵 郑家贵 蔡伟 

出　　处：《太阳能学报》2003年第z1期58-61,共4页Acta Energiae Solaris Sinica

基　　金：国家高技术研究发展计划(863)(2001AA513010);国家重大基础研究发展规划(973)资助项目(G2000028208)

摘　　要：多带隙半导体是一种理想的半导体材料,它具有两个或两个以上被很窄的能带(或杂质带)分开的带隙.各个带隙有不同的宽度,因此,这种半导体对不同波长的光都有很好的吸收.A.Luque等提出了以这种半导体所构成的多带隙太阳电池模型,M.Green估算其理想转换效率上限高达86.8%.本文对这种电池的模型进行了分析,并提出了实现多带隙半导体材料和多带隙太阳电池的途径.

关 键 词：太阳电池 多带隙 深能级杂质 光学损失 

分 类 号：TK514[动力工程及工程热物理—热能工程]