云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 深能级杂质

深能级杂质: 作品数：13被引量：14H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：陈朝阳丛秀云范艳伟董茂进黄芊芊更多>>; 相关机构：中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院中国科学院大学北京大学更多>>; 相关期刊：《功能材料》《西安电子科技大学学报》《Journal of Semiconductors》《太阳能学报》更多>>; 相关基金：国家高技术研究发展计划中国科学院西部之光基金新疆维吾尔自治区自然科学基金国家自然科学基金更多>>

磁控溅射结合脉冲激光制备钛掺杂硅薄膜的研究（英文）被引量：1: 《光子学报》2018年第9期75-82,共8页王凯李晓红张延彬温才刘德雄; The National Natural Science Foundation of China(No.11204250);the Scientific Research Fund of Sichuan Provincial Education Department(No.17CZ0038);the Office of Science&Technology and Intellectual Property of Mianyang(No.16G-01-11);Postgraduate Innovation Fund Project by Southwest University of Science and Technology(No.17ycx071); 发展了一种改进的新型超掺杂工艺,通过真空磁控溅射多层镀膜后结合532nm波长可见纳秒脉冲激光熔融处理,进行超掺杂钛的硅薄膜材料的制备,并对材料的超掺杂层的性质和红外吸收性能进行了探究.结果表明,硅膜层中掺杂的钛原子的百分比浓度...; 关键词：激光物理脉冲激光磁控溅射硅超掺杂深能级杂质

铁掺杂对不同导电类型硅材料电阻率的影响被引量：3: 《电子元件与材料》2013年第7期10-13,共4页周步康范艳伟陈朝阳; 新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目(No.2010211B24);乌鲁木齐市科技项目资助(No.C101110001); 采用电阻率为4.8.cm的p型硅片和10.cm的n型硅片,通过高温扩散法制备出了Fe掺杂的补偿硅材料。在室温避光条件下,测量样品电阻率ρ,并用XRD对扩散后的样品进行分析,研究了Fe掺杂对不同导电类型硅材料电阻率的影响。结果表明:相对于n型硅...; 关键词：P型硅 N型硅深能级杂质 Fe 电阻率补偿度

金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究被引量：2: 《电子元件与材料》2011年第6期29-32,共4页张希涛陈朝阳范艳伟丛秀云; 新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目(No.2010211B24); 采用开管涂源法,对ρ25为7？.cm的n型单晶硅进行了Au和Pt双重掺杂,制备了低阻高B型NTCR。研究了扩散时间和扩散温度对样品参数的影响,并进行了相关的测试和分析。结果表明：扩散温度θ=1 200℃、扩散时间t≥2 h时,导电类型反型为p型,此...; 关键词：NTC热敏电阻单晶硅金铂深能级杂质

光电导开关非线性模式下光电延迟现象分析: 《半导体光电》2010年第5期713-715,共3页戴慧莹向珊施卫; 国家自然科学基金项目(10876026); 报道了在高偏置电压下半绝缘GaAs光导开关进入非线性模式并产生光电延迟的实验结果。分析了非线性模式下光电延迟现象,指出半导体材料深能级杂质的俘获作用是产生光电延迟的主要原因;计算了由于电荷畴传输引起的光电延迟时间,得到与实...; 关键词：光导开关深能级杂质延迟时间

Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性被引量：1: 《功能材料》2009年第1期37-39,共3页董茂进陈朝阳范艳伟丛秀云王军华陶明德; 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2006AA03Z434); 为了制备高B低阻的硅单晶热敏材料，采用开管涂源的方法，对n型单晶硅进行Au、Ni两种过渡族金属的双重高温掺杂，得到对温度敏感的补偿硅材料，并对其进行测试和分析。掺杂后得到的硅单晶热敏材料，其导电类型仍为n型，且电阻率较低，...; 关键词：双重掺杂深能级杂质 AU NI 热敏特性

InP中的深能级杂质与缺陷(续)被引量：1: 《微纳电子技术》2008年第11期621-626,共6页孙聂枫赵有文孙同年; 关键词：GeSi/Si共振隧穿二极管

InP中的深能级杂质与缺陷被引量：4: 《微纳电子技术》2008年第10期559-567,共9页孙聂枫赵有文孙同年; 综述了近年来关于InP中深能级缺陷和杂质的研究工作。讨论了深能级杂质及缺陷对InP材料性能的重要影响;介绍了深能级瞬态谱(DLTS)、光致发光谱(PL)、热激电流谱(TSC)、正电子寿命谱(PAS)、正电子深能级瞬态谱(PDLTS)等几种研究深中心的...; 关键词：磷化铟深能级杂质缺陷退火电学补偿半绝缘晶体

深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性被引量：5: 《Journal of Semiconductors》2005年第6期1140-1143,共4页蔡志军巴维真陈朝阳崔志明丛秀云; 中国科学院"西部之光"资助项目~~; 为得到高B值(材料常数)的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进行了测试和分析.结果表明:这种补偿硅具有热敏特性,该材料的B值为6300K左右,其阻值对温度的依赖关系与杂...; 关键词：深能级杂质费米能级多数载流子补偿度

Zn掺杂n型硅材料的补偿研究被引量：3: 《电子元件与材料》2005年第6期24-26,共3页蔡志军巴维真陈朝阳崔志明丛秀云; 乌鲁木齐市科技攻关计划项目(G041202);中国科学院"西部之光"人才培养计划项目; 为了获得不同补偿度的硅材料,采用高温气相扩散的方法,在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到各种电阻率(在25℃下)的补偿硅。实验表明,对具有不同初始电阻率的硅材料,扩散后电阻率随扩散温度和杂质投入量的不同都有较大变化,而且随杂质投入...; 关键词：电子技术深能级杂质反型固溶度亨利定律电离

关于多带隙半导体材料及太阳电池的分析: 《太阳能学报》2003年第z1期58-61,共4页冯良桓张静全蔡亚平李卫武莉莉黎兵郑家贵蔡伟; 国家高技术研究发展计划(863)(2001AA513010);国家重大基础研究发展规划(973)资助项目(G2000028208); 多带隙半导体是一种理想的半导体材料,它具有两个或两个以上被很窄的能带(或杂质带)分开的带隙.各个带隙有不同的宽度,因此,这种半导体对不同波长的光都有很好的吸收.A.Luque等提出了以这种半导体所构成的多带隙太阳电池模型,M.Green估...; 关键词：太阳电池多带隙深能级杂质光学损失

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