电学补偿

作品数：10被引量：24H指数：3
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超磁致伸缩旋转超声加工系统研究进展
《电加工与模具》2024年第4期1-9,39,共10页张宇 兰天 张翔宇 冯峰 张建富 冯平法 王健健 
国家自然科学基金项目(52275441、52105458)
旋转超声加工是集传统旋转机加工方式和超声振动于一体的新型特种加工方法,在加工硬脆材料时具有切削力小、切削效率高、工件表面质量高、刀具寿命增长等优势。超磁致伸缩旋转超声加工系统具有相同功率条件下伸缩系数大、能量密度高等优...
关键词：旋转超声加工 超磁致伸缩材料 电学补偿 频率跟踪技术 振幅稳定性 
一种针对AMOLED器件劣化的电学补偿技术被引量：4
《液晶与显示》2019年第4期335-341,共7页解红军 张小宝 
AMOLED显示屏经过长时间的使用,不可避免地会有OLED器件劣化的问题。同一显示屏内不同位置的像素器件的劣化程度不同,造成显示屏整体亮度下降和显示残像。使用越久、亮度越高的像素,器件劣化就越严重。本文提出一种电学补偿技术,用以改...
关键词：电压侦测 电学补偿 器件劣化 残像 
基于电学补偿的频率光纤传输系统设计被引量：1
《光通信技术》2016年第6期28-31,共4页李东瑾 梅进杰 胡登鹏 周文婵 任天鹏 
航天飞行动力学技术重点实验室开放基金(No.2013afdl009)资助;国家自然科学基金(No.11403001)资助
针对高精度频率光纤传输的相位波动问题,分析了常规电学补偿传输方式存在的不稳定性因素,提出了可行的解决方案。首先着重分析了电学补偿及光纤频率传递流程。然后实验验证了光纤反射信号对补偿系统的干扰,定量分析了链路相位波动情况,...
关键词：电学补偿 双频传输 相位波动 链路对称 
基于FPGA的频率远距离稳定传输方案设计及实现被引量：4
《重庆邮电大学学报（自然科学版）》2015年第5期614-619,共6页胡登鹏 任天鹏 朱淑梅 杨瑞娟 秦豫文 
航天飞行动力学技术重点实验室开放基金(2013afdl009)~~
研究了通过电学补偿且基于FPGA(field programmable gate array)设计实现的频率远距离稳定传输问题。根据共轭相位补偿法原理,设计了基于FPGA的数字锁相环频率远距离稳定传输方案。该方案通过4次变频及滤波来提取远端信号和本地信号的...
关键词：频率传输 数字锁相环 相位抖动 电学补偿 
InP中的深能级杂质与缺陷被引量：4
《微纳电子技术》2008年第10期559-567,共9页孙聂枫 赵有文 孙同年 
综述了近年来关于InP中深能级缺陷和杂质的研究工作。讨论了深能级杂质及缺陷对InP材料性能的重要影响;介绍了深能级瞬态谱(DLTS)、光致发光谱(PL)、热激电流谱(TSC)、正电子寿命谱(PAS)、正电子深能级瞬态谱(PDLTS)等几种研究深中心的...
关键词：磷化铟 深能级 杂质 缺陷 退火 电学补偿 半绝缘 晶体 
高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第9期1770-1774,共5页占荣 赵有文 于会永 高永亮 惠峰 
垂直梯度凝固法(VGF)生长的低位错半绝缘(SI)GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题.在3种不同温度条件下,对VGF-SI-GaAs晶片进行了加As压的闭管退火处理.结果表明,经过1160℃/12h的高温退火处理后,VGF-SI-GaAs...
关键词：垂直梯度凝固法 半绝缘砷化镓 电学补偿 缺陷 
深能级缺陷对半绝缘InP材料电学补偿的影响被引量：3
《物理学报》2007年第2期1167-1171,共5页杨俊 赵有文 董志远 邓爱红 苗杉杉 王博 
对铁掺杂和高温退火非掺杂磷化铟制备的两种半绝缘材料的电学补偿和深能级缺陷进行了分析和比较.根据热激电流谱(TSC)测得的深能级缺陷结果,分析了这两种半绝缘InP材料中深能级缺陷对电学补偿的影响.在掺铁半绝缘InP材料中,由于存在高...
关键词：INP 半绝缘 深能级 电学补偿 
半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿被引量：3
《Journal of Semiconductors》2006年第11期1934-1939,共6页苗杉杉 赵有文 董志远 邓爱红 杨俊 王博 
比较了掺Fe和非掺退火半绝缘(SI)InP材料中Fe杂质的分布,掺杂激活机理以及Fe原子与点缺陷的相互作用.原生掺Fe SI-InP中Fe的替位激活主要通过填隙-跳跃机制,但Fe原子易在位错周围聚集,与空位形成复合体缺陷,占据填隙位等,从而降低Fe的...
关键词：INP 铁激活 退火 半绝缘 
SI-GaAs材料的电学补偿被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第11期999-1003,共5页赖占平 齐德格 高瑞良 杜庚娜 刘晏凤 刘建宁 
"九五"攻关项目
研究了ＨＰＬＥＣ工艺生长半绝缘砷化镓单晶过程中，熔体的化学剂量比对晶体深施主缺陷能级、浅受主碳的浓度以及晶体电学性能的影响．由Ｎ 型半绝缘晶体的补偿机理对实验现象进行了解释，给出了既能保证晶体电学性能又可以使缺陷浓度...
关键词：SI-GAAS材料 电学补偿 砷化镓 半导体材料 
SI-GaAs单晶热稳定性及其电学补偿机理研究被引量：3
《固体电子学研究与进展》1991年第3期216-224,共9页王占国 戴元筠 徐寿定 杨锡权 万寿科 孙虹 林兰英 
国家自然科学基金重大项目
本文利用多种实验手段,包括OTCS,DLTS,低温PL等,对影响LEC SI-GaAs单晶电学性质热不稳定的可能因素进行了系统研究.在仔细分析对比文献发表的实验结果的基础上,提出了普遍成立的多能级电学补偿模型.这个模型不但能成功地对SI-GaAs单晶...
关键词：SI-GaAs晶体 热稳定性 电学补偿 
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