SI-GAAS材料

作品数：7被引量：3H指数：1
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：齐德格赖占平李光平汝琼娜何秀坤更多>>
相关机构：电子科技大学电子工业部中华人民共和国工业和信息化部中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关期刊：《微电子学》《强激光与粒子束》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关基金：“九五”国家科技攻关计划陕西省自然科学基金国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
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基于SI-GaAs材料的新型脉冲压缩二极管
《强激光与粒子束》2021年第10期126-132,共7页屈光辉 汪雅馨 赵岚 徐鸣 贾婉丽 马丽 纪卫莉 
陕西省自然基金科学项目(2020JM-462);国家自然科学基金项目(51877177);陕西高校青年创新团队(21JP085,21JP088);陕西省教育厅科学研究计划服务地方项目(19JC032)。
针对快前沿高重频脉冲的应用需求,设计并研制了一种基于半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料的新型脉冲压缩二极管,通过实验对其压缩性能和重频运行能力进行了测试。实验结果表明,利用此开关能够将前级脉冲的上升沿压缩约270倍和脉宽压缩14倍;并...
关键词：SI-GAAS 脉冲压缩二极管 重复频率 脉冲功率源 
SI-GaAs材料的电学补偿被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第11期999-1003,共5页赖占平 齐德格 高瑞良 杜庚娜 刘晏凤 刘建宁 
"九五"攻关项目
研究了ＨＰＬＥＣ工艺生长半绝缘砷化镓单晶过程中，熔体的化学剂量比对晶体深施主缺陷能级、浅受主碳的浓度以及晶体电学性能的影响．由Ｎ 型半绝缘晶体的补偿机理对实验现象进行了解释，给出了既能保证晶体电学性能又可以使缺陷浓度...
关键词：SI-GAAS材料 电学补偿 砷化镓 半导体材料 
PL Mapping在SI-GaAs材料与器件性能关系研究中的应用被引量：2
《现代仪器》1999年第4期38-41,共4页李光平 汝琼娜 李静 何秀坤 王寿寅 陈祖祥 胡春风 
本文详细研究了扫描光荧光谱(PL Mapping)在半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料与器件性能关系中的应用,实验结果表明SI-GaAs单晶的 PL Mapping均匀性对器件性能有着至关重要的影响,所以在为制备器件选择优质的SI-GaAs材料时,除了电阻率、迁移...
关键词：扫描光荧光谱 砷化镓 器件 半导体 
微波器件及IC用SI－GaAs材料现状及展望
《山东电子》1996年第2期35-38,共4页刘鹏 
本文介绍了国内外ＳＩ－ＧａＡｓ材料的市场现状及应用，简述了ＳＩ－ＧａＡｓ材料制备新工艺和提高质量水平的途径，指出ＳＩ－ＧａＡｓ材料的发展方向及市场前景，并对我国ＳＩ－ＧａＡｓ材料与国外相比所存在的差距作了分析，提出今...
关键词：微波器件 集成电路 半绝缘砷化镓 半导体材料 
砷化镓超高速电路用SI-GaAs材料——Ⅴ.离子注入技术;Ⅵ.介质/接触/栅材料
《微电子学》1991年第6期64-71,F003,共9页鄢俊明 
5.SI—GaAs的离子注入技术 在GaAs IC/工艺中,通常采用有选择的离子注入,在SI-GaAs衬底上,形成有源层、欧姆接触层、电阻层及器件之间的隔离层。 通过控制注入杂质的能量和剂量,来达到控制掺杂的浓度和深度。加速离子的能量在50～500ke...
关键词：集成电路 离子注入 砷化镓 栅材料 
砷化镓超高速电路用SI-GaAs材料——Ⅲ.GaAs中杂质和缺陷的行为;Ⅳ.SI-GaAs单晶的特性
《微电子学》1991年第5期78-82,共5页鄢俊明 
3.GaAs中的杂质和缺陷的行为 3.1 GaAs中的施主、受主、中性、双性和深能级杂质 GaAs中的掺杂技术比Si中复杂,可选择的杂质较多,杂质在GaAs中可替代Ga或As原子,也可处于GaAs晶格的间隙位置上,因而表现出不同的电学性质。
关键词：高速电路 GsAs 杂质 缺陷 SI-GAAS 
砷化镓超高速电路用SI-GaAs材料——Ⅰ.砷化镓超高速电路发展概况;Ⅱ,砷化镓晶体管的基本特性
《微电子学》1991年第4期85-90,共6页鄢俊明 
SI—GaAs(半绝缘砷化镓)材料是研制GaAs VHSIC((超高速集成电路)和MMIC(单片微波集成电路)的重要的衬底材料,SI—GaAs晶片的质量对GaAs集成电路的性能和成品率有很重要的影响。 离子注入掺杂(在SI—GaAs中形成有源层、欧姆接触层、电阻...
关键词：超高速电路 集成电路 SI-GAAS材料 
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