砷化镓超高速电路用SI-GaAs材料——Ⅰ.砷化镓超高速电路发展概况;Ⅱ,砷化镓晶体管的基本特性  

作　　者：鄢俊明 

机构地区：[1]电子科大

出　　处：《微电子学》1991年第4期85-90,共6页Microelectronics

摘　　要：SI—GaAs(半绝缘砷化镓)材料是研制GaAs VHSIC((超高速集成电路)和MMIC(单片微波集成电路)的重要的衬底材料,SI—GaAs晶片的质量对GaAs集成电路的性能和成品率有很重要的影响。 离子注入掺杂(在SI—GaAs中形成有源层、欧姆接触层、电阻层等),是制造GaAs集成电路的关键工艺。由于GaAs(具有一定极性的Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体)

关 键 词：超高速电路 集成电路 SI-GAAS材料 

分 类 号：TN453[电子电信—微电子学与固体电子学]