李光平

作品数：4被引量：5H指数：2
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供职机构：中华人民共和国工业和信息化部更多>>
发文主题：砷化镓GAASMAPPINGPL光致发光光谱更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《稀有金属》《功能材料与器件学报》更多>>
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SI-GaAs晶片的PL mapping表征技术被引量：3
《功能材料与器件学报》2000年第4期365-368,共4页李光平 汝琼娜 李静 何秀坤 王寿寅 陈祖祥 
研究了扫描光致发光光谱 (PLmapping)在表征半绝缘砷化镓 (SI GaAs)材料中的应用 ,实验结果表明SI GaAs晶片的PL强度及mapping均匀性对器件性能有着十分密切的关系 ,所以在为制备器件筛选优质的SI GaAS材料时 ,除了电阻率、迁移率、位...
关键词：光致发光光谱 表征材料 半绝缘砷化镓 
PL Mapping在SI-GaAs材料与器件性能关系研究中的应用被引量：2
《现代仪器》1999年第4期38-41,共4页李光平 汝琼娜 李静 何秀坤 王寿寅 陈祖祥 胡春风 
本文详细研究了扫描光荧光谱(PL Mapping)在半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料与器件性能关系中的应用,实验结果表明SI-GaAs单晶的 PL Mapping均匀性对器件性能有着至关重要的影响,所以在为制备器件选择优质的SI-GaAs材料时,除了电阻率、迁移...
关键词：扫描光荧光谱 砷化镓 器件 半导体 
掺杂GaAs中杂质缺陷的研究
《稀有金属》1991年第1期34-37,21,共5页王琴 阎萍 何秀坤 李光平 汝琼娜 李晓波 
本文利用红外吸收光谱、电子探针和X荧光光谱测量分析了GaAs中In、Cr、Si、Te、12~C、13~C等杂质。讨论了等电子掺杂、多重掺杂及同位素掺杂GaAs’中杂质的占位状态、与本征缺陷的相互作用及对材料均匀性和半绝缘性能的影响,并将部份测...
关键词：砷化镓 掺杂 杂质缺陷 
光学干涉法同时测定二氧化硅薄膜折射率和厚度
《半导体技术》1989年第6期47-49,共3页何秀坤 李光平 王琴 郑驹 阎萍 
本文利用二氧化硅薄膜的光学干涉效应和可变角度反射测量装置,给出了一种同时测定薄膜折射率和厚度的新方法.薄膜折射率和厚度的测量误差分别小于5%和6%.
关键词：光学干涉法 二氧化硅 薄膜 厚度 
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