掺杂GaAs中杂质缺陷的研究  

作　　者：王琴[1] 阎萍[1] 何秀坤[1] 李光平[1] 汝琼娜[1] 李晓波 

机构地区：[1]机械电子工业部第四十六研究所

出　　处：《稀有金属》1991年第1期34-37,21,共5页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：本文利用红外吸收光谱、电子探针和X荧光光谱测量分析了GaAs中In、Cr、Si、Te、12~C、13~C等杂质。讨论了等电子掺杂、多重掺杂及同位素掺杂GaAs’中杂质的占位状态、与本征缺陷的相互作用及对材料均匀性和半绝缘性能的影响,并将部份测量结果与理论计算结果进行了对比研究。

关 键 词：砷化镓 掺杂 杂质缺陷 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]