砷化镓超高速电路用SI-GaAs材料——Ⅴ.离子注入技术;Ⅵ.介质/接触/栅材料  

作　　者：鄢俊明 

机构地区：[1]电子科大

出　　处：《微电子学》1991年第6期64-71,F003,共9页Microelectronics

摘　　要：5.SI—GaAs的离子注入技术 在GaAs IC/工艺中,通常采用有选择的离子注入,在SI-GaAs衬底上,形成有源层、欧姆接触层、电阻层及器件之间的隔离层。 通过控制注入杂质的能量和剂量,来达到控制掺杂的浓度和深度。加速离子的能量在50～500keV的范围,注入离子的剂量一般在10^(11)～10^(17)/cm^2的范围;衬底可以在室温条件下或加热的条件下(<400℃)进行离子注入。

关 键 词：集成电路 离子注入 砷化镓 栅材料 

分 类 号：TN405.3[电子电信—微电子学与固体电子学]