砷化镓超高速电路用SI-GaAs材料——Ⅲ.GaAs中杂质和缺陷的行为;Ⅳ.SI-GaAs单晶的特性  

作　　者：鄢俊明 

机构地区：[1]电子科技大学

出　　处：《微电子学》1991年第5期78-82,共5页Microelectronics

摘　　要：3.GaAs中的杂质和缺陷的行为 3.1 GaAs中的施主、受主、中性、双性和深能级杂质 GaAs中的掺杂技术比Si中复杂,可选择的杂质较多,杂质在GaAs中可替代Ga或As原子,也可处于GaAs晶格的间隙位置上,因而表现出不同的电学性质。

关 键 词：高速电路 GsAs 杂质 缺陷 SI-GAAS 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学]