杨锡权

作品数：4被引量：5H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：EL2砷化镓热稳定性SI-GAAS费米能级更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《稀有金属》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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一个证明SI-GaAs中EL2缺陷为双施主中心的方法
《稀有金属》1998年第2期116-119,共4页周滨 杨锡权 王占国 
利用ＳＩＧａＡｓ中ＥＬ２缺陷在低温下特有的光淬灭行为，提出了一个证明ＥＬ２缺陷是一个具有多个不同荷电状态的双施主中心的实验方法。讨论了该方法用于测量ＳＩＧａＡｓ材料电学补偿度，进而对材料的热学稳定性进行评价的可能性。
关键词：SI-GAAS EL2 光淬灭 补偿度 
EL2光淬灭过程中光电导增强现象原因新探被引量：2
《Journal of Semiconductors》1994年第5期324-328,共5页徐波 王占国 万寿科 孙红 张辉 杨锡权 林兰英 
本文用光电导的实验方法对ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ单晶中ＥＬ２能级的光淬灭过程进行了研究．通过对实验结果的分析，提出了一种解释ＥＬ２淬灭过程中ＥＰＣ现象起因的模型：光照前因补偿受主而已经电离的一部分ＥＬ２中心在近红外光照射...
关键词：光电导增强 费米能级 砷化镓 单级 
Sl-GaAs单晶的热稳定性研究
《固体电子学研究与进展》1991年第3期241-244,共4页曹福年 杨锡权 刘巽琅 吴让元 惠峰 何宏家 
国家自然科学基金重大项目
SI-GaAs衬底材科的热稳定性对于用直接离子注入工艺制作GaAs场效应器件及集成电路是至关重要的.本文采用变温霍耳效应测量、光注入瞬态电流谱(OTCS)和原子吸收光谱等方法研究了热稳定性差的不掺杂LEC SI-GaAs单晶.结果表明,原子吸收光...
关键词：SI-GAAS 热稳定性 离子注入 
SI-GaAs单晶热稳定性及其电学补偿机理研究被引量：3
《固体电子学研究与进展》1991年第3期216-224,共9页王占国 戴元筠 徐寿定 杨锡权 万寿科 孙虹 林兰英 
国家自然科学基金重大项目
本文利用多种实验手段,包括OTCS,DLTS,低温PL等,对影响LEC SI-GaAs单晶电学性质热不稳定的可能因素进行了系统研究.在仔细分析对比文献发表的实验结果的基础上,提出了普遍成立的多能级电学补偿模型.这个模型不但能成功地对SI-GaAs单晶...
关键词：SI-GaAs晶体 热稳定性 电学补偿 
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