孙红

作品数：1被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：EL2费米能级单级砷化镓锌更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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EL2光淬灭过程中光电导增强现象原因新探被引量：2
《Journal of Semiconductors》1994年第5期324-328,共5页徐波 王占国 万寿科 孙红 张辉 杨锡权 林兰英 
本文用光电导的实验方法对ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ单晶中ＥＬ２能级的光淬灭过程进行了研究．通过对实验结果的分析，提出了一种解释ＥＬ２淬灭过程中ＥＰＣ现象起因的模型：光照前因补偿受主而已经电离的一部分ＥＬ２中心在近红外光照射...
关键词：光电导增强 费米能级 砷化镓 单级 
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