万寿科

作品数：11被引量：23H指数：3
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：光致发光X砷化镓GASBSI-GAAS单晶更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《物理学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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GaN_(1-x)P_x三元合金的MOCVD生长被引量：1
《Journal of Semiconductors》2002年第7期782-784,共3页陈敦军 毕朝霞 沈波 张开骁 顾书林 张荣 施毅 胡立群 郑有炓 孙学浩 万寿科 王占国 
国家重点基础研究专项 (编号 :G2 0 0 0 0 6 83);国家自然科学基金 (批准号 :6 0 136 0 2 0 ;6 9976 0 14 ;6 99870 0 1);国家高技术研究发展计划资助项目~~
用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P组分的GaN1-xPx 三元合金 .俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN1-xPx 中P的掺入量最高达到 2 0 %且分布均匀 ;X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga—P键的存在 .对不同P组分...
关键词：三元合金 MOCVD 化学态 红移 镓氮磷合金 气相沉积 
InGaN光致发光性质与温度的关系被引量：6
《Journal of Semiconductors》2001年第5期569--57,共1页樊志军 刘祥林 万寿科 王占国 
国家自然科学基金资助项目! (合同号 :6990 60 0 2 )&&
分析了用金属有机物气相外延方法 (MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮 (In Ga N)的光致发光 (PL)性质 .发现在 4.7K至 30 0 K范围内 ,随着温度升高 ,In Ga N带边辐射向低能方向移动 ,峰值变化基本符合 Varshni经验公式 ;同时 In Ga N发...
关键词：INGAN 变温 光致发光性质 铟镓氮 MOVPE法 
EL2光淬灭过程中光电导增强现象原因新探被引量：2
《Journal of Semiconductors》1994年第5期324-328,共5页徐波 王占国 万寿科 孙红 张辉 杨锡权 林兰英 
本文用光电导的实验方法对ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ单晶中ＥＬ２能级的光淬灭过程进行了研究．通过对实验结果的分析，提出了一种解释ＥＬ２淬灭过程中ＥＰＣ现象起因的模型：光照前因补偿受主而已经电离的一部分ＥＬ２中心在近红外光照射...
关键词：光电导增强 费米能级 砷化镓 单级 
调谐激光晶体Cr^（3＋）：ZnWO＿4光致发光特性的研究被引量：5
《物理学报》1994年第5期851-857,共7页陈伟 夏上达 汤洪高 刘竟青 臧竟存 万寿科 
国家自然科学基金
研究了调谐激光晶体Ｃｒ￣（３＋）：ＺｎＷＯ＿４的光致发光特性。报道了它的吸收光谱、激发光谱、发射光谱及其随温度的变化、零声子跃迁和发射寿命等实验结果，并讨论了激发特性、电子－声子耦合作用、ＺｎＷＯ＿４中Ｃｒ￣（３＋）...
关键词：激光晶体 钨酸锌 光致发光 
低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析
《Journal of Semiconductors》1993年第6期345-352,共8页陈德勇 朱龙德 李晶 熊飞克 徐俊英 万寿科 梁骏吾 
用低压MOCVD方法生长了InGaAs/InP单量子阱及多量子阱结构。用低温光致发光方法研究了量子阱样品因量子尺寸效应引起的激子能量移动以及激子谱线线宽同量子阱阱宽的关系,7A阱宽的激子能量移动达370meV。选取Q_c=△E_c/△E_g=0.4,采用修...
关键词：INGAAS/INP 量子阱 光致发光法 
Ga_(1-x)In_xSb/GaSb应变层超晶格的MOVPE生长被引量：3
《Journal of Semiconductors》1992年第9期584-587,T001,共5页陆大成 汪度 刘祥林 万寿科 王玉田 
本文报道用常压金属有机物气相外延方法在 GaSb衬底上生长 Ga_(1-x)In_xSb/GaSb应变层超晶格材料.X射线双晶衍射谱和反射电子显微像表明超晶格结构的周期性,GalnSb阱的组分均匀性和异质结界面质量较好.观察到当In含量提高时起源于超晶格...
关键词：应变层 晶格 生长 超晶格材料 
LP-MOVPE Ga_(1-x)In_xAs/InP量子阱结构材料被引量：2
《Journal of Semiconductors》1991年第9期578-582,共5页段树坤 熊飞克 李学斌 李晶 王玉田 江德生 徐俊英 万寿科 钱家骏 
本文报道用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOVPE) 的方法生长了晶格匹配的Ga_(1-x)In_4As/InP 量子阱结构材料.X光双晶衍射和透射电子显微镜测量表明多量子阱结构的周期性和界面质量较好、光致发光和光吸收谱的测量都观测到因量子尺寸...
关键词：GnInAs/InP 量子阱材料 外延生长 
SI-GaAs单晶热稳定性及其电学补偿机理研究被引量：3
《固体电子学研究与进展》1991年第3期216-224,共9页王占国 戴元筠 徐寿定 杨锡权 万寿科 孙虹 林兰英 
国家自然科学基金重大项目
本文利用多种实验手段,包括OTCS,DLTS,低温PL等,对影响LEC SI-GaAs单晶电学性质热不稳定的可能因素进行了系统研究.在仔细分析对比文献发表的实验结果的基础上,提出了普遍成立的多能级电学补偿模型.这个模型不但能成功地对SI-GaAs单晶...
关键词：SI-GaAs晶体 热稳定性 电学补偿 
Al_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb的LPE生长与性质研究
《Journal of Semiconductors》1990年第10期738-745,共8页杨保华 王占国 万寿科 龚秀英 林兰英 
国家高技术;高技术基金
在GaSb衬底上用LPE法生长了晶格匹配的AlGaAsSb外延层。用室温光致发光和X射线双晶衍射分别测量了材料的禁带宽度和晶格常数,并与用内插法计算的结果进行了比较。用C-V和van der Pauw法测量了样品的电学参数。用激光喇曼散射和低温光致...
关键词：LPE 化合物光导体 晶格匹配 
n型LEC-GaAs中E_5能级的研究
《Journal of Semiconductors》1989年第6期471-474,共4页张芊 王占国 万寿科 林兰英 
本文采用DLTS及光电容技术对n型未掺LEC-GaAs材料中的深中心进行了研究.通过对E_5能级阈值附近光电离截面谱的温度效应的分析,提出了此能级向导带的电子发射存在两步光热激发过程的模型,算出激发态位于导带下23meV处.用多声子过程解释...
关键词：DLTS 光电容 LEC-GaAs 深能级 
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