段树坤

作品数：17被引量：8H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：MOVPE生长MOVPE氮化镓汽相外延生长砷化镓更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程化学工程更多>>
发文期刊：《北京大学学报（自然科学版）》《稀有金属》《发光学报》《物理学报》更多>>
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生长氮化物四元系的热力学考虑(英文)
《发光学报》2001年第S1期13-16,共4页陆大成 段树坤 
国家自然科学重点基金资助项目 ( 6 97896 0 1)~~
本文提出了一个MOVPE生长GaxAlyIn1-x -yN的膺热力学分析模型。假设此合金是由Ⅲ族元素与NH3 之间反应生成的。为了计算氨分解的影响 ,在模型中引入了氨分解率的概念 ,质量守恒方程是用摩尔量来计算的。我们计算了在不同生长条件下 ,与...
关键词：GaAlInN MOVPE 膺热力学分析 
Quasi-Thermodynamic Model of MOVPE Growth of Ga_xAl_yIn_(1-x-y) N
《Journal of Semiconductors》2001年第6期677-683,共7页陆大成 段树坤 
国家重点基础 (973 )资助项目! (合同号 :G2 0 0 0 0 683 )&&
WT9.BZ]A quasi-thermodynamic model of MOVPE growth of Ga xAl yIn 1-x-y N alloys has been proposed with TMGa,TMAl,TMIn and ammonia as sources.In this model,the effect of decomposition of ammonia has been con- si...
关键词：GaAlInN MOVPE THERMODYNAMIC group Ⅲ nitrides 
MOVPE生长氮化物四元系的热力学考虑
《发光学报》2001年第z1期13-16,共4页陆大成 段树坤 
国家自然科学重点基金资助项目(69789601)
本文提出了一个MOVPE生长GaxAlyIn1-x-yN的膺热力学分析模型.假设此合金是由Ⅲ族元素与NH3之间反应生成的.为了计算氨分解的影响,在模型中引入了氨分解率的概念,质量守恒方程是用摩尔量来计算的.我们计算了在不同生长条件下,与GaN晶格...
关键词：GaAlInN MOVPE 膺热力学分析 
一种显示LiGaO_2晶体极性和缺陷的腐蚀液
《人工晶体学报》2000年第S1期238-,共1页滕学恭 段树坤 
GaN及其合金具有大的带隙 ,高的热导和强的化学键 ,是制作短波长光电器件和高温电子器件重要的半导体材料 ,受到人们很大的关注。近年来 ,GaN器件已取得了快速进展 ,LED已经商品化。但对高性能的激光器和电子器件 ,GaN薄膜的质量急待进...
关键词：衬底材料 LiGaO_2晶体 缺陷 腐蚀液 
生长在尖晶石衬底上的GaN外延层的喇曼散射研究
《Journal of Semiconductors》1998年第11期865-870,共6页李国华 韩和相 丁琨 汪兆平 段树坤 
国家自然科学基金
在室温下测量了用ＭＯＶＰＥ方法生长在尖晶石（ＭｇＡｌ２Ｏ４）衬底上的ＧａＮ外延层的一阶喇曼光谱．应用各种背散射和９０°散射配置，测得了除低频Ｅ２模外所有ＧａＮ的喇曼活性光学声子模．并且在Ｘ（Ｚ，Ｘ）Ｚ和Ｘ（Ｙ，Ｙ）Ｚ...
关键词：氮化镓 外延生长 喇曼散射 尖晶石衬底 
半导体GaN/MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析被引量：1
《Journal of Semiconductors》1998年第10期736-739,共4页韩培德 杨海峰 张泽 段树坤 滕学公 
运用透射电子显微镜（ＴＥＭ）和高分辨透射电子显微镜（ＨＲＥＭ）对金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）的（０００１）ＧａＮ／（１１１）ＭｇＡｌ２Ｏ４异质结构中的缓冲层进行了观察和分析。
关键词：外延生长 氮化镓 缓冲层 透射电子显微镜 
MOVPE生长GaN的准热大学模型及其相图被引量：4
《Journal of Semiconductors》1997年第5期385-390,共6页段树坤 陆大成 
中国国家科学技术委员会和美国惠普公司"合作开展高技术研究协议"项目
本文基于准热力学平衡模型对以TMGa和NH3为源的MOVPE生长GaN的过程进行了分析，并在此基础上计算了MOVPE生长GaN的相图．GaN的MOVPE相图由GaN（s）单凝聚相区、GaN（s）＋Ga（1）双凝聚相区、表面会形成Ga滴和不会形成Ga滴的两个腐蚀区...
关键词：MOVPE生长 氮化镓 准热力学 模型 相图 
ZnSe的MOVPE生长相图：以DMZn和H_2Se为源
《Journal of Semiconductors》1996年第6期401-405,共5页段树坤 陆大成 
国家自然科学基金
本文基于热力学平衡计算，首次给出以ＤＭＺｎ和Ｈ２Ｓｅ为源，ＭＯＶＰＥ生长ＺｎＳｅ的相图．文中讨论了ＺｎＳｅ单一凝聚相区的范围，以及可能出现ＺｎＳｅ（ｓ）＋Ｚｎ（ｓ）或ＺｎＳｅ（ｓ）＋Ｓｅ（ｌ）两种双凝聚相区的条件．
关键词：DMZn源 H2Se源 MOVPE 生长相图 硒化锌 发光器件 
不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究
《北京大学学报（自然科学版）》1994年第5期575-578,共4页王德煌 王威礼 李桂棠 庄婉如 段树坤 
报道ＭＯＶＰＥ技术生长不掺杂ＧａＡｓ膜，在Ｈｅ－Ｎｅ激光场作用下，其近红外光吸收系数变化的实验结果。
关键词：吸收系数 激光辐照 砷化镓 膜 
电流注入块状GaAs和GaAs膜近红外光学常数变化实验研究
《量子电子学》1994年第2期84-84,共1页王德煌 王威礼 庄婉如 段树坤 
电流注入块状ＧａＡｓ和ＧａＡｓ膜近红外光学常数变化实验研究王德煌，王威礼（北京大学物理系，集成光电子学国家重点联合实验室半导体所区，北京１００８７１）庄婉如，段树坤（北京集成光电子学国家重点联合实验室半导体所区，北京...
关键词：砷化镓 电流注入 近红外光学常数 变化 实验 
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