MOVPE生长氮化物四元系的热力学考虑  

Thermodynamic Consideration of Nitride Quaternary Grown by MOVPE

作　　者：陆大成[1] 段树坤[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室，北京 100083 中国科学院半导体研究所，北京 100083

出　　处：《发光学报》2001年第z1期13-16,共4页Chinese Journal of Luminescence

基　　金：国家自然科学重点基金资助项目(69789601)

摘　　要：本文提出了一个MOVPE生长GaxAlyIn1-x-yN的膺热力学分析模型.假设此合金是由Ⅲ族元素与NH3之间反应生成的.为了计算氨分解的影响,在模型中引入了氨分解率的概念,质量守恒方程是用摩尔量来计算的.我们计算了在不同生长条件下,与GaN晶格匹配的富Ga的GaxAlyIn1-x-yN合金组分和输入的Ⅲ族金属有机化合物摩尔比之间的关系.计算结果表明Al和Ga优先于In进入固相.为了增加固相的In含量应适当降低生长温度、使用氮载气、提高输入反应管的金属有机化合物的分压、采用高V/Ⅲ比值和降低氨分解率.

关 键 词：GaAlInN MOVPE 膺热力学分析 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]