电流注入块状GaAs和GaAs膜近红外光学常数变化实验研究  

作　　者：王德煌[1] 王威礼[1] 庄婉如[1] 段树坤[1] 

机构地区：[1]北京大学物理系,集成光电子学国家重点联合实验室半导体所区,北京集成光电子学国家重点联合实验室半导体所区

出　　处：《量子电子学》1994年第2期84-84,共1页

摘　　要：电流注入块状ＧａＡｓ和ＧａＡｓ膜近红外光学常数变化实验研究王德煌，王威礼（北京大学物理系，集成光电子学国家重点联合实验室半导体所区，北京１００８７１）庄婉如，段树坤（北京集成光电子学国家重点联合实验室半导体所区，北京１０００８３）ＧａＡｓ是半导体光电...

关 键 词：砷化镓 电流注入 近红外光学常数 变化 实验 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]