不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究  

Exp6Fimental Investigation on Laser-Induced Change of Absorption Coefficient Near Infrared in Undoped GaAs Film

作　　者：王德煌 王威礼[1] 李桂棠 庄婉如[1] 段树坤[1] 

机构地区：[1]北京大学物理学系,集成光电子学国家重点联合实验室半导体所区,中国科学院半导体研究所

出　　处：《北京大学学报（自然科学版）》1994年第5期575-578,共4页Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis

摘　　要：报道ＭＯＶＰＥ技术生长不掺杂ＧａＡｓ膜，在Ｈｅ－Ｎｅ激光场作用下，其近红外光吸收系数变化的实验结果。The experimental results on near infrared absorption coefficient change produced by He-Ne laser irradiation in undoped GaAs film are reported,

关 键 词：吸收系数 激光辐照 砷化镓 膜 

分 类 号：O471[理学—半导体物理]