樊志军

作品数：1被引量：6H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：变温MOVPE光致发光性质温度铟镓氮更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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InGaN光致发光性质与温度的关系被引量：6
《Journal of Semiconductors》2001年第5期569--57,共1页樊志军 刘祥林 万寿科 王占国 
国家自然科学基金资助项目! (合同号 :6990 60 0 2 )&&
分析了用金属有机物气相外延方法 (MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮 (In Ga N)的光致发光 (PL)性质 .发现在 4.7K至 30 0 K范围内 ,随着温度升高 ,In Ga N带边辐射向低能方向移动 ,峰值变化基本符合 Varshni经验公式 ;同时 In Ga N发...
关键词：INGAN 变温 光致发光性质 铟镓氮 MOVPE法 
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