杨保华

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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：LPEINPGASBGAAS衬底AL更多>>
发文领域：电子电信轻工技术与工程更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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Al_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb的LPE生长与性质研究
《Journal of Semiconductors》1990年第10期738-745,共8页杨保华 王占国 万寿科 龚秀英 林兰英 
国家高技术;高技术基金
在GaSb衬底上用LPE法生长了晶格匹配的AlGaAsSb外延层。用室温光致发光和X射线双晶衍射分别测量了材料的禁带宽度和晶格常数,并与用内插法计算的结果进行了比较。用C-V和van der Pauw法测量了样品的电学参数。用激光喇曼散射和低温光致...
关键词：LPE 化合物光导体 晶格匹配 
等电子杂质Sb对InP中缺陷的影响
《Journal of Semiconductors》1990年第4期253-257,共5页叶式中 杨保华 徐岭 
国家自然科学基金
用光致发光和正电子湮没技术研究了掺Sb InP单晶的“本征缺陷”。发现元素Sb的掺入导致磷空位(V_p)或者是V_p与杂质络合物的光致发光峰消失。用正电子湮没技术的测量也表明掺Sb的InP晶体中单空位浓度有所降低,两种方法测量的结果对应得...
关键词：INP SB 电子杂质 缺陷 正电子湮没 
掺In半绝缘GaAs衬底上外延GaAs的晶格失配研究
《Journal of Semiconductors》1989年第2期81-85,共5页杨保华 王玉田 李成基 何宏家 王占国 林兰英 
国家自然科学基金
本文报道了在掺In半绝缘GaAs衬底上的液相和汽相外延生长,并用x射线双晶衍射和光学显微等方法研究外延层和衬底之间的晶格失配.结果表明,当衬底中In组分x<0.004时,外延层失配应力主要由弹性形变调节,不出现失配位错,并可得到很好的表面...
关键词：GAAS LPE 晶格失配 
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