龚秀英

作品数：5被引量：3H指数：1
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Ⅱ-Ⅵ族三元和四元混晶半导体晶格常数的计算被引量：1
《稀有金属》1993年第3期236-240,共5页高凤升 龚秀英 
近十年来,随着红外探测器、激光器、光电管、太阳能电池、微波管、高速器件、传感器件等的发展、半导体材料的研究重点也逐渐由二元化合物转为三元和四元混晶体系。HgTe 的禁带宽度为0.02eV,而 ZnS 的禁带宽度为3.66eV,其相应的发光波...
关键词：Ⅱ-Ⅵ族 混晶半导体 晶格常数 计算 
一种新的非均匀减薄法——选择阳极氧化法
《电子科学学刊》1991年第2期221-224,共4页高凤升 龚秀英 葛永才 
提出了一种新的非均匀减薄法,即选择阳极氧化法。用于n^+-n-n^(++)GaAs高低结雪崩二极管的n^+层厚度的控制,使器件的效率达到理论值。
关键词：半导体工艺 减薄法 阳极氧化 
液相外延生长In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb及其性质研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1990年第10期746-750,共5页刘学锋 龚秀英 王占国 
国家高技术基金
本文利用液相外延方法,在较大组分范围内(0≤x≤0.17,0≤y≤0.12),成功地生长出了晶格匹配于(100)GaSb衬底的In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-x)四元材料,并对其性质进行了实验观察和研究。结果表明,这种表面光亮、层厚均匀、异质结界面平直以及...
关键词：化合物半导体 液相外延 晶格匹配 
Al_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb的LPE生长与性质研究
《Journal of Semiconductors》1990年第10期738-745,共8页杨保华 王占国 万寿科 龚秀英 林兰英 
国家高技术;高技术基金
在GaSb衬底上用LPE法生长了晶格匹配的AlGaAsSb外延层。用室温光致发光和X射线双晶衍射分别测量了材料的禁带宽度和晶格常数,并与用内插法计算的结果进行了比较。用C-V和van der Pauw法测量了样品的电学参数。用激光喇曼散射和低温光致...
关键词：LPE 化合物光导体 晶格匹配 
LPE Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InP和Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InAs的生长及其估价被引量：1
《中国科学（A辑）》1989年第7期769-775,共7页龚秀英 高凤升 王占国 韩文蔷 
将电负性差法估算的Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InP和Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InAs的固相和液相组份数据应用于液相外延生长,均获得了晶格匹配的材料,并首次获得了波长λ>3.5μm的Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InAs异质外延材料。Ga_xIn_(...
关键词：光电子器件 半导体材料 处延生长 
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