高凤升

作品数：3被引量：2H指数：1
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Ⅱ-Ⅵ族三元和四元混晶半导体晶格常数的计算被引量：1
《稀有金属》1993年第3期236-240,共5页高凤升 龚秀英 
近十年来,随着红外探测器、激光器、光电管、太阳能电池、微波管、高速器件、传感器件等的发展、半导体材料的研究重点也逐渐由二元化合物转为三元和四元混晶体系。HgTe 的禁带宽度为0.02eV,而 ZnS 的禁带宽度为3.66eV,其相应的发光波...
关键词：Ⅱ-Ⅵ族 混晶半导体 晶格常数 计算 
一种新的非均匀减薄法——选择阳极氧化法
《电子科学学刊》1991年第2期221-224,共4页高凤升 龚秀英 葛永才 
提出了一种新的非均匀减薄法,即选择阳极氧化法。用于n^+-n-n^(++)GaAs高低结雪崩二极管的n^+层厚度的控制,使器件的效率达到理论值。
关键词：半导体工艺 减薄法 阳极氧化 
LPE Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InP和Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InAs的生长及其估价被引量：1
《中国科学（A辑）》1989年第7期769-775,共7页龚秀英 高凤升 王占国 韩文蔷 
将电负性差法估算的Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InP和Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InAs的固相和液相组份数据应用于液相外延生长,均获得了晶格匹配的材料,并首次获得了波长λ>3.5μm的Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InAs异质外延材料。Ga_xIn_(...
关键词：光电子器件 半导体材料 处延生长 
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