LPE Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InP和Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InAs的生长及其估价  

作　　者：龚秀英[1] 高凤升[1] 王占国[1] 韩文蔷 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所

出　　处：《中国科学（A辑）》1989年第7期769-775,共7页Science in China(Series A)

摘　　要：将电负性差法估算的Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InP和Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InAs的固相和液相组份数据应用于液相外延生长,均获得了晶格匹配的材料,并首次获得了波长λ>3.5μm的Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InAs异质外延材料。Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InP的固体组份为0.38<x<0.51,0.01<y<0.065.用X射线双晶衍射、光学显微镜和透射电镜(TEM)、电学测试及低温光致发光实验对材料进行了估价。结果表明,这两种材料对于工作在1.3—1.6μm和2.0—4.4μm范围内的光电子器件及其集成有着极其重要的应用前景。

关 键 词：光电子器件 半导体材料 处延生长 

分 类 号：TN304.205[电子电信—物理电子学]