Ⅱ-Ⅵ族三元和四元混晶半导体晶格常数的计算  

作　　者：高凤升[1] 龚秀英[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,100083

出　　处：《稀有金属》1993年第3期236-240,共5页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：近十年来,随着红外探测器、激光器、光电管、太阳能电池、微波管、高速器件、传感器件等的发展、半导体材料的研究重点也逐渐由二元化合物转为三元和四元混晶体系。HgTe 的禁带宽度为0.02eV,而 ZnS 的禁带宽度为3.66eV,其相应的发光波长分别为62μm 和0.33μm,可见Ⅱ-Ⅵ 族化合物覆盖的波段范围较 Ⅲ-Ⅴ 族要宽得多。特别是在8μm以上的远红外区,Ⅲ一Ⅴ族化合物是不适用的,而Ⅱ-Ⅵ族化合物却有着独特的优越性。近年,

关 键 词：Ⅱ-Ⅵ族 混晶半导体 晶格常数 计算 

分 类 号：TN304.25[电子电信—物理电子学]