叶式中

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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：半导体材料浮渣固体物料单晶炉晶体更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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半导体材料的新发展
《半导体情报》1992年第6期1-5,共5页林兰英 叶式中 
近来,半导体科学主要的发展方向是制作高完整性和大面积杂质均匀的衬底材料和超薄外廷材料,并研究它们的特殊性能。本文主要对半导体材料的发展作一简单评述。
关键词：半导体 材料 工艺 
等电子杂质Sb对InP中缺陷的影响
《Journal of Semiconductors》1990年第4期253-257,共5页叶式中 杨保华 徐岭 
国家自然科学基金
用光致发光和正电子湮没技术研究了掺Sb InP单晶的“本征缺陷”。发现元素Sb的掺入导致磷空位(V_p)或者是V_p与杂质络合物的光致发光峰消失。用正电子湮没技术的测量也表明掺Sb的InP晶体中单空位浓度有所降低,两种方法测量的结果对应得...
关键词：INP SB 电子杂质 缺陷 正电子湮没 
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