张芊

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发文主题：DLTSN型能级深能级更多>>
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n型LEC-GaAs中E_5能级的研究
《Journal of Semiconductors》1989年第6期471-474,共4页张芊 王占国 万寿科 林兰英 
本文采用DLTS及光电容技术对n型未掺LEC-GaAs材料中的深中心进行了研究.通过对E_5能级阈值附近光电离截面谱的温度效应的分析,提出了此能级向导带的电子发射存在两步光热激发过程的模型,算出激发态位于导带下23meV处.用多声子过程解释...
关键词：DLTS 光电容 LEC-GaAs 深能级 
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