李晶

作品数：2被引量：2H指数：1
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低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析
《Journal of Semiconductors》1993年第6期345-352,共8页陈德勇 朱龙德 李晶 熊飞克 徐俊英 万寿科 梁骏吾 
用低压MOCVD方法生长了InGaAs/InP单量子阱及多量子阱结构。用低温光致发光方法研究了量子阱样品因量子尺寸效应引起的激子能量移动以及激子谱线线宽同量子阱阱宽的关系,7A阱宽的激子能量移动达370meV。选取Q_c=△E_c/△E_g=0.4,采用修...
关键词：INGAAS/INP 量子阱 光致发光法 
LP-MOVPE Ga_(1-x)In_xAs/InP量子阱结构材料被引量：2
《Journal of Semiconductors》1991年第9期578-582,共5页段树坤 熊飞克 李学斌 李晶 王玉田 江德生 徐俊英 万寿科 钱家骏 
本文报道用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOVPE) 的方法生长了晶格匹配的Ga_(1-x)In_4As/InP 量子阱结构材料.X光双晶衍射和透射电子显微镜测量表明多量子阱结构的周期性和界面质量较好、光致发光和光吸收谱的测量都观测到因量子尺寸...
关键词：GnInAs/InP 量子阱材料 外延生长 
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