InP中的深能级杂质与缺陷(续)  

Deep Impurities and Defects in InP (Continued)

作　　者：孙聂枫[1] 赵有文[2] 孙同年[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家重点实验室,石家庄050051 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《微纳电子技术》2008年第11期621-626,共6页Micronanoelectronic Technology

关 键 词：GeSi/Si共振隧穿二极管 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] O474[理学—半导体物理]