崔志明

作品数：5被引量：11H指数：3
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供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
发文主题：负温度系数电子技术硅材料单晶硅补偿度更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电子元件与材料》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：中国科学院西部之光基金更多>>
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高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究
《电子元件与材料》2006年第3期53-55,共3页崔志明 陈朝阳 巴维真 蔡志军 丛秀云 
乌鲁木齐市重点科技攻关项目(项目编号:G0401202);中国科学院"西部之光"人才培养计划项目
采用4.5Ω.cm的p型单晶硅,通过高温气相扩散法将锰掺入硅中,得到高补偿单晶硅。用化学沉积法,在高补偿单晶硅材料的表面镀金属镍膜,经500℃退火15 min,制成Ni电极。用SEM和XPS对电极进行分析,并测试材料的I-V特性曲线。结果表明:经退火...
关键词：电子技术 高补偿硅 化学沉积法 硅镍化舍物 
深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性被引量：5
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1140-1143,共4页蔡志军 巴维真 陈朝阳 崔志明 丛秀云 
中国科学院"西部之光"资助项目~~
为得到高B值(材料常数)的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进行了测试和分析.结果表明:这种补偿硅具有热敏特性,该材料的B值为6300K左右,其阻值对温度的依赖关系与杂...
关键词：深能级杂质 费米能级 多数载流子 补偿度 
p型单晶硅涂源掺锰新方法被引量：3
《电子元件与材料》2005年第6期21-23,共3页崔志明 巴维真 陈朝阳 蔡志军 丛秀云 
国家外专局科研基金资助项目(20036500065);中国科学院"西部之光"人才培养计划项目
研究了扩散源的浓度与掺杂后硅材料补偿度之间的关系。以MnCl2·4H2O乙醇溶液为扩散源,涂在初始电阻率为3.8?·cm的p型单晶硅片表面,在高温(1200℃)下掺杂锰后,在室温避光条件下,用SDY—5型双电测四探针仪测样品电阻率ρ。改变扩散源的...
关键词：电子技术 扩散源 补偿度 固相反应 锰硅化物 
Zn掺杂n型硅材料的补偿研究被引量：3
《电子元件与材料》2005年第6期24-26,共3页蔡志军 巴维真 陈朝阳 崔志明 丛秀云 
乌鲁木齐市科技攻关计划项目(G041202);中国科学院"西部之光"人才培养计划项目
为了获得不同补偿度的硅材料,采用高温气相扩散的方法,在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到各种电阻率(在25℃下)的补偿硅。实验表明,对具有不同初始电阻率的硅材料,扩散后电阻率随扩散温度和杂质投入量的不同都有较大变化,而且随杂质投入...
关键词：电子技术 深能级杂质 反型 固溶度 亨利定律 电离 
掺锰对不同导电类型硅材料热敏特性的影响被引量：9
《电子元件与材料》2004年第6期23-24,共2页张建 巴维真 陈朝阳 崔志明 蔡志军 丛秀云 陶明德 吐尔迪.吾买尔 
国家外国专家局科研基金资助项目(20036500065);中国科学院西部之光人才培养研究基金项目
采用电阻率为5 Ω·cm的p型单晶硅和n型单晶硅,通过高温扩散金属锰的方法,可得到两种类型的热敏材料.测试发现,选择适当的扩散温度和时间,这两种类型的热敏材料一致性都较好.对n型硅掺锰,得到的是小正温度系数热敏材料,其8值在620 K左右...
关键词：掺锰 热敏特性 正温度系数 负温度系数 导电类型 硅材料 单晶硅 
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