掺锰对不同导电类型硅材料热敏特性的影响  

The Effect of Mn-doping on the Thermo-sensitive Characteristics of Different Si Materials

作　　者：张建[1] 巴维真[1] 陈朝阳[1] 崔志明[1] 蔡志军[1] 丛秀云[1] 陶明德[1] 吐尔迪.吾买尔 

机构地区：[1]中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011

出　　处：《电子元件与材料》2004年第6期23-24,共2页Electronic Components And Materials

基　　金：国家外国专家局科研基金资助项目(20036500065);中国科学院西部之光人才培养研究基金项目

摘　　要：采用电阻率为5 Ω·cm的p型单晶硅和n型单晶硅,通过高温扩散金属锰的方法,可得到两种类型的热敏材料.测试发现,选择适当的扩散温度和时间,这两种类型的热敏材料一致性都较好.对n型硅掺锰,得到的是小正温度系数热敏材料,其8值在620 K左右;对p硅掺锰,得到的是负温度系数热敏材料,其B值在4 200～4300K之间.Two different thermo-sensitive materials are acquired by diffusing metal Mn into p-type Si monocrystal of 5佟m and n-type Si monocrystal at high temperature. The measurment results indicate that their coherence is good when diffusing temperature and time is proper. Materials of low PTC can be obtained by diffusing Mn into n-type Si. Its B-value is about 620 K; and NTC materials can be acquired by doping Mn into p-type Si. Its B-value is 4 200 ~4 300 K.

关 键 词：掺锰 热敏特性 正温度系数 负温度系数 导电类型 硅材料 单晶硅 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]