在导电玻璃衬底上热壁外延生长GaAs薄膜  

GaAs FILM GROWN ON CONDUCTING GLASS BY HOT WALL EPITAXY

作　　者：涂洁磊 陈庭金 章晨静 吴长树 施兆顺 

出　　处：《太阳能学报》2003年第z1期82-85,共4页Acta Energiae Solaris Sinica

基　　金：国家自然科学基金资助项目(59966002,60266002)

摘　　要：该文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构,Raman散射(RSS)、光致发光光谱(PL)分析其光学性能.结果表明该薄膜性能良好、表面呈绒面结构、适合制作GaAs薄膜太阳电池.并全面分析了现有制备工艺条件对GaAs薄膜性能的影响,得出最佳的生长温度条件:源温为900～930℃,衬底温度为500℃.

关 键 词：GaAs/导电玻璃 热壁外延 太阳电池 薄膜材料 

分 类 号：TK51[动力工程及工程热物理—热能工程]