热壁外延

作品数：25被引量：9H指数：1
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热壁外延制备InAs/Si(211)薄膜及其电学性能研究
《人工晶体学报》2017年第12期2313-2318,2336,共7页何利利 张明 郭治平 刘翔 吴长树 
国家自然科学基金地区项目(61367008)
采用热壁外延(Hot Wall Epitaxy,HWE)沉积系统在单晶Si(211)衬底表面制备了In As薄膜,研究了不同生长温度(300℃、350℃、400℃、450℃和500℃)对薄膜材料结构及其电学性能的影响。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微...
关键词：InAs/Si(211)薄膜 热壁外延 生长温度 电学性能 
热壁外延碲化镉薄膜光学特性的分析及测试被引量：2
《太阳能学报》2007年第8期936-941,共6页陈庭金 姚朝晖 王履芳 汤叶华 夏朝凤 袁海荣 
国家自然科学基金项目(NO.50362003);云南省自然科学基金项目(NO.200250037)
用热壁外延的方法,在清洁的玻璃衬底上外延生长了不同厚度的CdTe薄膜,对薄膜的本征吸收光学特性进行了全面的研究分析和测量。对玻璃衬底的样品模式:空气-CdTe薄膜-玻璃-空气系统经光照的反射、吸收和透射问题进行了严格的数学处理,给...
关键词：热壁外延 CDTE薄膜 光学特性 测量 
HWE生长条件对CdTe/Si薄膜结构特性的影响
《半导体光电》2007年第3期386-390,共5页姚朝晖 陈庭金 夏朝凤 袁海荣 宋一得 廖华 刘祖明 
国家自然科学基金资助项目(50362003);云南省自然科学基金资助项目(200250037M)
研究了热壁外延(HWE)生长条件对Si(100)衬底上沉积外延的多晶CdTe薄膜的晶粒尺寸和取向的影响。用SEM和XRD技术分析了不同外延时间、不同衬底温度及不同源温下外延膜的表面形貌和结构特征。SEM发现随着外延时间的增加或衬底温度的提高,...
关键词：热壁外延 生长条件 CDTE薄膜 结构特性 
HWE生长大面积CdTe/CdZnTe/Si薄膜的结构和形貌分析
《激光与红外》2004年第6期457-459,共3页杨爱明 吴长树 杨宇 唐利斌 
云南省教育厅重点项目基金 ( 0 2ZD0 16)
用热壁外延法 (HWE)生长直径 30mm的CdTe/CdZnTe/Si薄膜 ,经XRD测试说明它是晶面为 (111)取向的立方闪锌矿结构。SEM对Si衬底、CdZnTe缓冲层和CdTe薄膜三层分别测试 ,结果发现 :Si衬底表面结构粗糙 ,CdZnTe缓冲层较Si衬底表面结构细致 ,...
关键词：热壁外延 大面积 硅衬底 碲镉薄膜 结构 表面形貌 
利用热壁外延（HWE）在导电玻璃上生长GaAs薄膜的意义
《中国建设动态（阳光能源）》2003年第06M期16-17,共2页章晨静 涂洁磊 陈庭金 
本文介绍了当前太阳电池所面临的问题，指出了GaAs薄膜太阳电池的利用前景，并且提出了一种简单廉价的制作方法。
关键词：太阳电池 GaAs薄膜 热壁外延 导电玻璃 
在导电玻璃衬底上热壁外延生长GaAs薄膜
《太阳能学报》2003年第z1期82-85,共4页涂洁磊 陈庭金 章晨静 吴长树 施兆顺 
国家自然科学基金资助项目(59966002,60266002)
该文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构,Raman散射(RSS)、光致发光光谱(PL)分析其光学性能.结果表明该薄膜性能良好、...
关键词：GaAs/导电玻璃 热壁外延 太阳电池 薄膜材料 
Si衬底上热壁外延制备GaAs单晶薄膜材料被引量：1
《半导体光电》2000年第6期433-434,438,共3页刘翔 谭红琳 吴长树 张鹏翔 赵德锐 陈庭金 廖世坤 吴刚 杨家明 
云南省自然科学基金!资助项目 (99E0 0 0 9Q)
报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在Si表面生长GaAs薄膜。先通过活化剂活化Si表面 ,再采取两步生长法外延GaAs单晶薄膜 ,最后进行断续多层循环退火 (IMCA)。经电子探针 (EPMA)、Raman光谱、Hall测量和荧光 (PL)光谱测试分析 ,证实在Si表...
关键词：热壁外延 异质外延 硅 砷化镓 单晶薄膜材料 
热壁外延与Ⅳ-Ⅵ族半导体红外器件
《物理》1999年第12期738-740,共3页杨玉琨 李冬妹 陈海勇 于三 邹广田 
集成光电子国家重点联合实验室资助
文章介绍了热壁外延（ＨＷＥ） 技术及其应用．主要介绍了用热壁外延技术制作的几种Ⅳ－ Ⅵ族半导体红外探测器和激光器，介绍了这方面国际上近年来的一些新进展。
关键词：热壁外延 Ⅳ-Ⅵ族半导体 红外探测器 
热壁外延生长 ZnSe 薄膜的质量研究被引量：1
《长沙水电师院学报（自然科学版）》1998年第1期41-44,共4页史向华 
研究了热壁外延法（ＨＷＥ）在经两种不同处理方法的ＧａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ薄膜质量．俄歇电子能谱图（ＡＥＳ）分析表明，经Ｓ纯化的ＧａＡｓ表面大约由一层单原子层所覆盖，从而减少了ＺｎＡｓ／ＧａＡｓ界面态密度．用喇曼光...
关键词：热壁外延 硒化锌薄膜质量 薄膜生长 
热壁外延C_(60)膜的特性研究
《北京工业大学学报》1998年第1期9-12,共4页陈光华 严辉 马国斌 陈鹏 
北京市自然科学基金
研究了不同衬底温度下Ｃ６０膜的热壁外延生长特性．Ｘ射线衍射结果表明，当衬底温度高于１６０℃时，在氟金云母（００１）面上外延生长出完全（１１１）取向了Ｃ６０膜，此外，对薄膜结晶的完整性及晶粒尺寸的随温度的变化进行了讨论．
关键词：热壁外延 X射线衍射 碳60 薄膜 
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