吴长树

作品数：11被引量：10H指数：1
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供职机构：昆明理工大学更多>>
发文主题：半导体制造技术单质硒化镉砷化镓碲镉汞更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术电气工程动力工程及工程热物理更多>>
发文期刊：《太阳能学报》《材料科学与工艺》《激光与红外》《光谱学与光谱分析》更多>>
所获基金：云南省自然科学基金国家自然科学基金云南省应用基础研究基金云南省教育厅科学研究基金更多>>
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热壁外延制备InAs/Si(211)薄膜及其电学性能研究
《人工晶体学报》2017年第12期2313-2318,2336,共7页何利利 张明 郭治平 刘翔 吴长树 
国家自然科学基金地区项目(61367008)
采用热壁外延(Hot Wall Epitaxy,HWE)沉积系统在单晶Si(211)衬底表面制备了In As薄膜,研究了不同生长温度(300℃、350℃、400℃、450℃和500℃)对薄膜材料结构及其电学性能的影响。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微...
关键词：InAs/Si(211)薄膜 热壁外延 生长温度 电学性能 
热循环退火对InAs/Si(211)薄膜结构和电学性能的影响
《材料科学与工艺》2017年第5期20-24,共5页张明 郭治平 吴长树 刘翔 
国家自然科学基金资助项目(61367008)
InAs作为III-V族化合物半导体材料,可以应用于磁阻和霍尔元器件、量子点激光器元件、太阳能电池和红外探测器元件等方面,具有广泛的研究和应用前景.本文以Si(211)为衬底,采用热壁外延(hot wall epitaxy,HWE)技术制备了InAs薄膜,研究热...
关键词：InAs薄膜 Si(211)衬底 热循环退火 微观结构 电学性能 
Hg_(1-x)Cd_xSe红外薄膜材料研究进展被引量：1
《材料导报》2016年第13期36-42,共7页郭治平 刘翔 潘顺臣 吴长树 陈清明 段云彪 
国家自然科学基金(61367008)
硒镉汞(Hg_(1-x)Cd_xSe)作为碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)的红外替代材料受到广泛关注,它具有位错密度低、热膨胀系数小、晶格失配小等优势,可望获得高质量、大面积、廉价长波红外(Long-wavelength infrared,LWIR)焦平面阵列(Focal plane arr...
关键词：硒镉汞 碲镉汞 长波红外焦 平面阵列 
HWE生长大面积CdTe/CdZnTe/Si薄膜的结构和形貌分析
《激光与红外》2004年第6期457-459,共3页杨爱明 吴长树 杨宇 唐利斌 
云南省教育厅重点项目基金 ( 0 2ZD0 16)
用热壁外延法 (HWE)生长直径 30mm的CdTe/CdZnTe/Si薄膜 ,经XRD测试说明它是晶面为 (111)取向的立方闪锌矿结构。SEM对Si衬底、CdZnTe缓冲层和CdTe薄膜三层分别测试 ,结果发现 :Si衬底表面结构粗糙 ,CdZnTe缓冲层较Si衬底表面结构细致 ,...
关键词：热壁外延 大面积 硅衬底 碲镉薄膜 结构 表面形貌 
热壁外延生长GaAs薄膜的结构特征被引量：1
《太阳能学报》2003年第1期14-17,共4页涂洁磊 林理彬 陈庭金 章晨静 吴长树 施光顺 
国家自然科学基金项目 ( 5 99660 0 2 )
该文介绍以Si和SnO2 / glass两种材料为衬底 ,采用热壁外延方法 ,制得GaAs多晶薄膜。采用电子探针 (EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌 ,x射线衍射 (XRD)分析薄膜的结构情况。结果表明该薄膜表面呈绒面结构、其晶粒为柱状结构 ,初步...
关键词：太阳电池 GaAs薄膜 Si或SnO2/glass衬底 
两步生长和直接生长GaAs/Si单晶薄膜的比较被引量：1
《半导体光电》2002年第2期128-131,共4页刘翔 吴长树 张鹏翔 角忠华 赵德锐 陈庭金 廖仕坤 杨家明 
云南省自然科学基金资助项目 (99E0 0 0 9Q)
报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在 (10 0 ) ,(111)和 (2 11)三种典型Si表面通过两步生长和直接生长法制备GaAs单晶薄膜 ,经过拉曼光谱、霍尔测试和荧光光谱分析比较 ,得出结论 :(1)相同取向Si衬底 ,两步生长法制备的GaAs薄膜结晶质量...
关键词：两步生长 直接生长 GAAS/SI 
Si表面制备GaAs单晶薄膜的反相畴消除
《半导体光电》2002年第1期63-65,共3页刘翔 吴长树 张鹏翔 赵德锐 陈庭金 廖仕坤 杨家明 
云南省自然科学基金资助项目 (99E0 0 0 9Q)
极性半导体GaAs在非极性半导体Si表面外延生长 ,普遍选用 (10 0 )面Si材料作衬底 ,外延时由于Ga ,As原子占据不合适的晶格位置 ,通常导致结构缺陷———反相畴产生 ,而选用(10 0 )面偏向 [0 11]方向 4°或 (2 11)面的Si作衬底 。
关键词：极性半导体 非极性半导体 反相畴 
拉曼-光荧光光谱热壁外延生长GaAs/Si薄膜晶体质量研究被引量：4
《光谱学与光谱分析》2001年第4期498-500,共3页谭红琳 张鹏翔 刘翔 吴长树 
云南省自然科学基金 (99F0 0 4 2M)资助
本文研究了用热壁外延 (HWE)技术在Si衬底上、不同工艺条件生长的GaAs薄膜的拉曼 (Raman)和光荧光 (PL)光谱。研究表明 :在室温下 ,GaAs晶膜的拉曼光谱的 2 6 5cm-1横声子 (TO)峰和 2 90cm-1纵声子(LO)峰的峰值和面积之比随晶膜质量的...
关键词：拉曼光谱 半导体薄膜 荧光光谱 半高宽 异质结 外延生长 GAAS/SI 砷化镓/硅 
热壁外延生长GaAs/Si薄膜质量研究被引量：2
《光电子．激光》2001年第3期236-238,共3页谭红琳 张鹏翔 刘翔 吴长树 
云南省应用基础研究资助项目 (99F0 0 42 M)
本文研究了用热壁外延 (HWE)技术在 Si衬底上不同工艺下生长的 Ga As薄膜的拉曼 (Raman)和荧光 (PL )光谱。研究表明 :在室温下 ,Ga As晶膜的 Raman光谱的 2 6 5 cm- 1 横声子 (TO)峰和 2 89cm- 1 纵声子 (L O)峰的峰值之比随晶膜质量...
关键词：薄膜 热壁 外延生长 砷化镓 硅 
Si衬底上热壁外延制备GaAs单晶薄膜材料被引量：1
《半导体光电》2000年第6期433-434,438,共3页刘翔 谭红琳 吴长树 张鹏翔 赵德锐 陈庭金 廖世坤 吴刚 杨家明 
云南省自然科学基金!资助项目 (99E0 0 0 9Q)
报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在Si表面生长GaAs薄膜。先通过活化剂活化Si表面 ,再采取两步生长法外延GaAs单晶薄膜 ,最后进行断续多层循环退火 (IMCA)。经电子探针 (EPMA)、Raman光谱、Hall测量和荧光 (PL)光谱测试分析 ,证实在Si表...
关键词：热壁外延 异质外延 硅 砷化镓 单晶薄膜材料 
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