廖仕坤

作品数：5被引量：2H指数：1
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供职机构：昆明物理研究所更多>>
发文主题：碲镉汞汞厚度C++BUILDER半导体晶片更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
发文期刊：《红外技术》《红外与激光工程》《半导体光电》更多>>
所获基金：云南省自然科学基金更多>>
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霍尔自动测试系统及使用C++Builder开发霍尔自动测试软件　　被引量：1
《昆明理工大学学报（理工版）》2002年第2期137-140,共4页廖仕坤 
论述了为大批量检测半导体晶片的霍尔系数、电阻率、载流子浓度和迁移率等电学参数而组建的由三台Ｋｅｉｔｈｌｅｙ公司的带ＧＰＩＢ接口仪器和一套Ｏｘｆｏｒｄ公司的带ＲＳ－２３２接口仪器组成的霍尔自动测试系统；使用Ｂｏｒｌａｎ...
关键词：霍尔自动测试系统 C++BUILDER 霍尔效应 ACTIVEX自动化 数据库 ObjectBench 软件开发 半导体晶片 
两步生长和直接生长GaAs/Si单晶薄膜的比较被引量：1
《半导体光电》2002年第2期128-131,共4页刘翔 吴长树 张鹏翔 角忠华 赵德锐 陈庭金 廖仕坤 杨家明 
云南省自然科学基金资助项目 (99E0 0 0 9Q)
报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在 (10 0 ) ,(111)和 (2 11)三种典型Si表面通过两步生长和直接生长法制备GaAs单晶薄膜 ,经过拉曼光谱、霍尔测试和荧光光谱分析比较 ,得出结论 :(1)相同取向Si衬底 ,两步生长法制备的GaAs薄膜结晶质量...
关键词：两步生长 直接生长 GAAS/SI 
Si表面制备GaAs单晶薄膜的反相畴消除
《半导体光电》2002年第1期63-65,共3页刘翔 吴长树 张鹏翔 赵德锐 陈庭金 廖仕坤 杨家明 
云南省自然科学基金资助项目 (99E0 0 0 9Q)
极性半导体GaAs在非极性半导体Si表面外延生长 ,普遍选用 (10 0 )面Si材料作衬底 ,外延时由于Ga ,As原子占据不合适的晶格位置 ,通常导致结构缺陷———反相畴产生 ,而选用(10 0 )面偏向 [0 11]方向 4°或 (2 11)面的Si作衬底 。
关键词：极性半导体 非极性半导体 反相畴 
HgCdTe的反常高电子迁移率
《红外与激光工程》1997年第3期19-22,共4页廖仕坤 杨彦 刘新进 
文中报道了碲镉汞的反常高电子迁移率。变磁霍尔测量和小光点扫描红外透射测量结果表明，反常高电子迁移率碲镉汞样品中存在导电非均匀性，这种导电非均匀性是横向组分严重偏析形成的负径向电子浓度梯度（电子浓度从晶片中心向周边减小...
关键词：碲镉汞 反常 高电子迁移率 红外光学材料 
HgCdTe晶片杂质浓度的检测
《红外技术》1994年第4期13-16,共4页杨彦 廖仕坤 宋炳文 刘新进 
采用红外透射法测ｎ型ＨｇＣｄＴｅ晶片的组分ｘ．范德堡法测晶片的载流子浓度ｎ０。用实测值ｘ和ｎ０计算出在相同低温热处理条件下不同组分（０．１９０＜ｘ＜０．２３０）的ｎ型ＨｇＣｄＴｅ晶片７７Ｋ时本征浓度ｎｉ和杂质浓度ｎｄ...
关键词：碲镉汞 杂质浓度 红外透射法 检测 
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