ZnS电子结构的第一性原理研究  

First Principles Analysis of the Electronic Structure of ZnS

作　　者：魏雪松 钮应喜 吕海萍 殷春浩 

机构地区：中国矿业大学理学院 中国矿业大学理学院 江苏 徐州 江苏 徐州

出　　处：《徐州工程学院学报》2008年第4期52-55,共4页Journal of Xuzhou Istitute of Technology

基　　金：国家教育部留学回国人员实验室建设科研基金(2003．18);; 中国矿业大学优秀创新团队基金(2004ZCX012)

摘　　要：采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法对ZnS的电子结构进行了研究.研究结果表明:理论预测ZnS是一种直接宽禁带半导体材料,直接带隙宽度为2.20eV,这个结果比实验值要小1.5eV左右;ZnS的下价带主要由Zn的3d电子贡献,上价带主要由S的3p电子形成,导带主要来源于Zn的4s电子和S的3p电子的贡献;在ZnS晶体中Zn原子失去电子,S原子得到电子,Zn—S键是共价键.Taking advantage of the first principles of plane wave ultra—soft pseudo—potential technol- ogy based on density function theory,this paper gives a study of the electronic structure of ZnS.The re- sults show that:according to theoretical speculation,ZnS is a kind of direct wide band gap semiconductor materials with its direct band gap around 2.20eV,which is about 1.5eV lower than the experimental val- ue;The lower value band of ZnS is mainly contributed by the 3d electrons of Zn,upper value band by the 3p e...

关 键 词：ZNS 电子结构 第一性原理 

分 类 号：O471.5[理学—半导体物理]