CMP流场的数值模拟及离心力影响分析  被引量:3

HYDRODYNAMIC SIMULATION AND THE EFFECT OF CENTRIFUGAL FORCEFOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESS

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作  者:高太元[1,2] 李明军[1] 胡利民[3] 高智[2] 

机构地区:[1]湘潭大学数学与计算科学学院,湘潭411105 [2]中国科学院力学研究所LHD实验室,北京100085 [3]四川大学建筑与环境学院,成都610065

出  处:《力学学报》2008年第6期729-734,共6页Chinese Journal of Theoretical and Applied Mechanics

基  金:国家自然科学基金资助项目(10676031,50675185)~~

摘  要:化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)是一项融合化学分解和机械力学的工艺,其中包含了流体动力润滑的作用.在已有润滑方程的基础上,提出并分析了带有离心力项的润滑方程.利用Chebyshev加速超松弛技术对有离心力项的润滑方程进行求解,得到离心力对抛光液压力分布的影响.数值模拟结果表明,压力分布与不带离心力项的润滑方程得出的明显不同;无量纲载荷和转矩随中心膜厚、转角、倾角、抛光垫旋转角速度等参数的变化趋势相同,但数值相差较大,抛光垫旋转角速度越大差别越大.Chemical mechanical polishing process is a combination of chemical dissolution and mechanical action.The mechanical action of CMP involves hydrodynamic lubrication.In this paper,the modified Reynolds equation with centrifugal force is investigated and solved by means of Chebyshev acceleration method with successive over-relaxation algorithm,to obtain the effects of centrifugal force on the slurry pressure distributions. The numerical results show that it is markedly different for the pressure distribution a...

关 键 词:化学机械抛光 离心力 润滑方程 压力分布 Chebyshev加速超松弛技术 

分 类 号:TG175[金属学及工艺—金属表面处理]

 

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