LTCC多层互连基板工艺及优化  

Optimization of LTCC Multilayer Interconnect Substrate Process

作　　者：王浩勤[1] 曾志毅[1] 尉旭波[1] 徐自强[1] 

机构地区：[1]电子科技大学电子科学技术研究院,成都610054

出　　处：《电子科技大学学报》2008年第S1期50-53,共4页Journal of University of Electronic Science and Technology of China

摘　　要：低温共烧陶瓷(LTCC)多层互连基板,具有可内埋无源元件、高频特性优良、IC封装基板、小型化等优点,在军事、宇航、汽车、微波与射频通信等领域得到了广泛应用,其制造技术,是MCM技术中的关键技术。该文介绍了LTCC基板的制造工艺、关键技术及其优化。通过对关键工艺进行优化,获得了一套适合带腔体LTCC多层互连基板制作的工艺参数。并已成功研制出满足T/R组件微波电路性能要求的LTCC多层互连基板。Low temperature cofired ceramic (LTCC) possesses a great number of advantages. It is used as IC substrate plate where passive devices may be embedded. LTCC is widely used in military, astronavigation, automobile, microwave and radio frequency communication. This paper deals with the manufacture and the process optimization of LTCC.

关 键 词：互连电路 低温共烧陶瓷 多层 工艺优化 通孔填充 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]